Samsung Electronics poinformował o stworzeniu pamięci DRAM DDR2 wyprodukowanych w technologii 50 nm, korzystających z nowego rodzaju "trójwymiarowych" tranzystorów - rozwiązanie to nosi nazwę SEG Tr (Selective Epitaxial Growth Transistor). Dzięki tej technologii i produkcji w 50 nm te 1 Gb kości pamięci DDR2 są o 55% mniejsze niż tego typu układy stworzone w tradycyjnej technologii 60 nm. Obecnie produkowane przez Samsunga pamięci DRAM wytwarzane są w technologii 80 nm, a produkcja w 50 nm ma się rozpocząć za około dwa lata.
K O M E N T A R Z E
Jeszcze nikt nie napisał komentarza.
D O D A J K O M E N T A R Z
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.