Problemy z procesorem Snapdragon 810 okazały się sporym ciosem dla firmy Qualcomm. Wygląda na to, że temu producentowi procesorów mobilnych nauczka się przydała, skoro potrafił wyciągnąć ze swojej wpadki odpowiednie wnioski. W nadchodzącym modelu Snapdragon 620 udało się znacząco zmniejszyć nagrzewanie struktury półprzewodnikowej w stosunku do poprzedniej generacji SoC, a co więcej nowy układ okazuje się także i szybszy od poprzednika.
Świadczą o tym wyniki testów Qualcomm Snapdragon 620 (MSM8952) w benchmarku Geekbench 3. Struktura układu SoC zawiera po cztery rdzenie ARM Cortex-A72 i Cortex-A53, GPU Adreno nowej generacji (dokładny model nie jest jeszcze znany) i bezprzewodowy modem z obsługą 4G LTE. W trybie 64-bitowym SoC osiąga 1520 punktów dla pojedynczego rdzenia i 4980 punktów w teście wielowątkowym. Dla porównania "przerośniety" smartfon Xiaomi Mi Pro z najnowszą wersją Snapdragona 810 (v2.1) uzyskuje wynik na poziomie 1380 i 4600 punktów.
Zapowiada się ciekawie, niemniej jednak dopóki nie pojawią się urządzenia oparte na Snapdragonie 620 trudno mówić o wyższości jednego układu nad drugim.
K O M E N T A R Z E
Jeszcze nikt nie napisał komentarza.
D O D A J K O M E N T A R Z
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.