Samsung poinformował o wyprodukowaniu pierwszych partii 4Gb chipów pamięci DDR3 w procesie technologicznym 50 nanometrów. Układy mogą pracować z częstotliwością 1600 MHz, a do poprawnej pracy wymagane jest napięcie zasilania o wartości 1.35V. Według producenta nowe 4Gb chipy pobierają o 40% mniej energii w porównaniu do dwóch 2Gb układów produkowanych obecnie. Układy pozwolą na budowę modułów pamięci w formacie DIMM oraz SoDIMM o niedostępnej dotychczas pojemności 8 GB. Możliwa będzie także produkcja 4 GB kości w niższych cenach niż przy wykorzystaniu dotychczas stosowanych 2Gb chipów. Masowa produkcja nowych chipów rozpocznie się w 2 kwartale obecnego roku.
K O M E N T A R Z E
no moze kolejny malo krok w popularyzacji DDR3 (autor: Mario2k | data: 31/01/09 | godz.: 13:58) Niech w koncu cos ruszy w tych pamieciach
stare dziadostwo 1333 odrazu mogli by sobie odpuscic
no chyab ze z super niskimi timingami , moze takie CL5 dalo by im troche rumoru.
Mam nadzieje ze do konca roku DDR3 2000MHz sie spopularyzuja i potanieja do bardziej normalnych wartosci.
D O D A J K O M E N T A R Z
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.