Hynix poinformował o wyprodukowaniu pierwszych partii 1Gb (128 MB) układów pamięci DDR3 w nowym, 40 nm procesie technologicznym. Kości noszą oznaczenie H5TQ1G83CFR i oferują szybkość na poziomie 2133 megabitów na sekundę (Mbps). W stosunku do układów produkowanych w aktualnie stosowanej technologii 54 nm nowe chipy mają mniejszą powierzchnię i pobierają mniej energii elektrycznej. Dodatkowo dzięki mniejszej powierzchni uzysk z pojedynczego 300mm wafla zostanie zwiększony nawet o 50%. Masowa produkcja w 40nm procesie technologicznym ma rozpocząć się w 3 kwartale obecnego roku.
K O M E N T A R Z E
Jeszcze nikt nie napisał komentarza.
D O D A J K O M E N T A R Z
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.
