Jak wiadomo, Samsung zrezygnował z produkcji pierwszej generacji pamięci HBM, zamiast tego zajął się rozwojem tej obiecującej technologii. Dzięki temu ośmiokrotnie wzrosła ich pojemność, zaś maksymalna transfer wynosi teraz do 256 Mb/s. Pozwala to na stworzenie kart graficznych posiadających 16 i 32 GB pamięci zintegrowanej na jednym podłożu z procesorem graficznym i dysponującej prędkością transmisji do ponad 1 TB/s. W chwili obecnej Samsung produkuje czterowarstwowe układy HBM o pojemności 4GB, zaś produkcja pamięci 8GB ma ruszyć przed końcem tego roku.
Dotychczas wszystkie informacje dotyczące drugiej generacji pamięci HBM skupiały się na Samsungu, zaś pomijały pioniera tej technologi, firmę Hynix. Okazuje się, że drugi południowokoreański producent także ma zamiar rozpocząć wytwarzanie nowej generacji tych układów, tyle, że w trzecim kwartale tego roku. Mają być to pamięci 4GB, zaś 8GB z logo Hynixa ujrzymy w ostatnim kwartale bieżącego roku. Opóźnienie ma być podyktowane chęcią zaspokojenia popytu na układy HBM pierwszej generacji oraz z przewidywanym przez tę firmę brakiem większego popytu na nową wersję tego typu pamięci. O ile w chwili obecnej jedynym masowo produkowanym rozwiązaniem wykorzystującym pamięci o wysokiej przepustowości są karty graficzne AMD wykorzystujące procesor graficzny Fiji, to w przypadku HBM 2 zobaczymy je w nadchodzących GPU produkcji AMD i Nvidii, oraz być może niektórych CPU z serii Zen, których produkcję AMD deklaruje rozpocząć pod koniec tego roku.
