Naukowcy z firmy Motorola opracowali 4-Mbitową pamięć nieulotną, wykorzystującą małe obszary krzemu o wymiarach 50 angstremów (5 nm). Nanokryształy mają stać się podstawą nowej pamięci, która może być programowana lub kasowana przy niższych napięciach niż obecnie stosowane technologie. Wynalazek jest częścią prac na nową klasą pamięci, znanej jako "thin-film storage". Zakłada ona przechowywanie ładunku w warstwie azotku lub w izolowanych nanokryształach krzemowych, pomiędzy dwoma warstwami tlenku.
Inżynierowie obiecują obniżenie napięcia, koniecznego do programowania układu, z 12V w obecnych układach flash, do 6V. Nad nanokryształami prace trwają od kilku lat. Problem stanowi połączenie odpowiedniego rozmiaru kryształu z ich rozmieszczeniem. W konstrukcji Motoroli, nanokryształy rozmieszczono w odległości ok. 5nm. Nowy typ pamięci ma być także bardziej niezawodny. W przypadku uszkodzenia warstwy krzemowej w układach z "pływającą" bramką, tranzystor przestaje działać. W przypadku nanokryształów ryzyko awarii jest mniejsze. Aby przechować jeden bit, potrzebne będzie od 500 do 700 nanokryształów. Uszkodzenie kilku z nich nie zmienia działania układu. Pierwsze efekty projektu Sonos mają pojawić się na rynku w ciągu kilku lat i zastąpią pamięci flash.
K O M E N T A R Z E
Jeszcze nikt nie napisał komentarza.
D O D A J K O M E N T A R Z
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.
