Nowy tranzystor charakteryzuje się prawie dwa razy większą szybkością działania od "wszystkiego" co jest dotychczas zrobione: częstotliwość graniczną 210 GHz osiąga przy zaledwie 1 mA prądu, tzn. jest ok. 80 % szybszy od produktów bieżącej technologii przy poborze połowy mocy elektrycznej. IBM oświadczył, że opracowana technologia pozwoli konstruować chipy o roboczej częstotliwości ok. 80 GHz - dwa razy większej od najszybszych chipów opartych na bazie silikonowej. Jeśli wszystko pójdzie dobrze to opracowana przez IBM technologia zwolni konstruktorów chipów od konieczności poszukiwania rozwiązań na bazie różnych egzotycznych materiałów takich jak arsenek galu i fosforek indu.
K O M E N T A R Z E
Jeszcze nikt nie napisał komentarza.
D O D A J K O M E N T A R Z
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.
