Samsung buduje fabrykę do produkcji 10nm pamięci flash

1. NAND flash (autor: Conan Barbarian | data: 14/09/12 | godz.: 21:53)
   Pamiątki nadal potrzebne Apple i w 2014 przypomną sobie o Samsungu i ... przeproszą.
   BTW - liczba cykli 1000 czy mniejsza?
   
   
2. Gdyby (autor: biuro74 | data: 15/09/12 | godz.: 00:39)
   to sie dzialo w Polsce, to musielibysmy sie dowiedziec, jaka czesc z tej inwestycji to lapowy, kto je wzial i ile gwiazd z sejmowych komisji sledczych sie na tym wybilo.
   
   
3. Samsung. (autor: mFuker | data: 15/09/12 | godz.: 01:08)
   Nie trzeba kochać ich telelfonów (sht) ani smartów.
   
   Przyznać trzeba: cisną do przodu i nie widzą barier. Będą im "lizać" nie jedni.
   
   
4. @3 jak widac (autor: PrEzi | data: 15/09/12 | godz.: 01:33)
   Ich 'telelfonow' wcale nie kochasz.
   Natomiast stosunek parametry/wyposazenie/cena jest chyba jednym z lepszych jakie widzialem, nie wdajac sie w dysputy typu - jaki smart chodzi na jakim systemie operacyjnym.
   
   
5. @01 - liczba zapisów (autor: bmiluch | data: 15/09/12 | godz.: 01:40)
   aż strach nazwać coś takiego pamięcią nieulotną ;)
   
   
6. biuro74 (autor: RusH | data: 15/09/12 | godz.: 07:07)
   chiny przoduja pod tym wzgledem, czlonkowie rzadu i administracji sa miliarderami
   
   
7. Hah 1 komorka pamieci TLC... (autor: gantrithor | data: 15/09/12 | godz.: 12:04)
   jest zapisywana i kasowana 3 krotnie matko jedyna masz racje trudno to nazwac pamiecia nieulotna xD
   
   
8. Jak już stawiają nową fabrykę (autor: Teriusz | data: 15/09/12 | godz.: 14:24)
   to zainwestowali by od razu w wafle 450mm. Będą się jeszcze grzebać z 300mm :/
   
   
9. @up (autor: Conan Barbarian | data: 15/09/12 | godz.: 15:20)
   nie inwestuje się w coś co nie istnieje - to ma być produkcja a nie badania nad nową technologią
   
   
10. 7 nie (autor: RusH | data: 16/09/12 | godz.: 21:56)
    komorka tlc trzyma 3 bity
    problem polega na tym ze
    SLC = albo jest ladunek albo go nie ma, okolo 100000 elektronow w komorce), duzy margines bepieczenstwa bo komorka moze byc nawet bardzo zjchana i trzymac tylko 50000 a i tak zostanie odczytana poprawnie = wytrzyma duzo cykli
    
    MLC - trzyma 2 bity, pierwszy zalezy od tego czy jest 100000 elektronow w komorce, drugi zalezy od tego czy jest dodatkowe 10000, margines bepieczenstwa o jeden rzad wielkosci mniejszy
    
    TLC - trzyma 3 bity, pierwszy zalezy od tego czy jest 100000 elektronow w komorce, drugi zalezy od tego czy jest dodatkowe 10000, trzeci zalezy od tego czy jest dodatkowe 1000!!!!!, margines bepieczenstwa o kolejny rzad wielkosci mniejszy. w TLC dochodzimy praktycznie do fizyki kwantowej, o wartosci jednego bitu decytuja SETKI elektronow. Tutaj komorka jest bezuzyteczna juz w momecie gdy trzyma ~500 elektronow mniej niz fabrycznie, gdy SLC pomyka dalej nawet gdy trzyba o 50000 mniej niz fabrycznie.
    
    kazde "wstrzykniecie" elektronow do komorki flasz powoduje jej degradacje(fizyczny stres), stad tak male ilosci cykli zapisu
    
    
11. @10 (autor: bmiluch | data: 17/09/12 | godz.: 12:54)
    aby dopełnić haosu, można wspomnieć jeszcze o problemach
    spowodowanych przez samo odczytywanie:
    
    http://en.wikipedia.org/...ash_memory#Read_disturb
    
    
12. @10. (autor: Mariosti | data: 17/09/12 | godz.: 13:36)
    Nikt przy zdrowych zmysłach nie wpadłby na tak głupi sposób interpretowania stanów komórki flash.
    
    Nie podaję konkretnych wartości tylko zbliżone:
    SLC- 1Bit, stan 0 -> 4-6V, 1 -> 1-4V
    MLC- 2Bit, stan 00 -> 5.5-6.6V, 01 -> 4-5.5V, 10 -> 3-4V, 11 -> 1.5-3V
    I odpowiednio w TLC. Zakresy interpretowanych napięć są ustalane tak aby był jak najszersze.
    
    http://www.vartechsystems.com/...ages/SLCvsMLC.pdf
    
    Jednocześnie na wykresach rozkładu prawdopodobieństw z tego pdf'a widać wyraźnie dlaczego przy przejściu z 2 zbiorów na 4 żywotność nie spada 2x tylko znacznie bardziej, bo zwyczajnie znacznie większa część zakresu napięć przypada na stany nieokreślone i dodatkowo powiększa się zakres błędu elektroniki programującej i czytającej komórki.
    
    
13. faktycznie sposob podalem z dupy :) (autor: RusH | data: 17/09/12 | godz.: 23:27)
    ale jest latwiejszy do zrozumienia przez ludzi potrafiacych liczyc do 10 (binary)
    btw napiecia jakie podales tez sa z dupy, w przypadku flasz nie rozmawiamy o calych voltach, rozmawiamy o SETKACH pojedynczych elektronow
    
    do tego zapomnialem dodac jaki wplyw na liczbe elektronow ma proces produkcji. w 10nm na bramce trzymajacej ladunek miesci sie 20 elektronow :o
    
    http://www.impact.org.tw/...sFile/201111110190.pdf
    
    
    nawet w 45nm ladunek mierzy sie w milivoltach