Samsung buduje fabrykę do produkcji 10nm pamięci flash
Autor: Zbyszek | źródło: X-bit Labs | 23:56
(13)
Samsung poinformował o rozpoczęciu budowy nowej fabryki przeznaczonej do wytwarzania układów pamięci w technologii NAND Flash. Fabryka powstanie w Chinach w prowincji Xi'an, a jej budowa pochłonie kwotę 2,3 miliarda dolarów. Zakończenie inwestycji zaplanowano na 2014 rok. Pierwsze wafle krzemowe z układami opuszczą fabrykę prawdopodobnie w tym samym roku, po zatrudnieniu personelu i wyposażeniu zakładu w osprzęt niezbędny do produkcji. Docelowo zakład ma produkować miesięcznie 100 tysięcy wafli krzemowych o średnicy 300mm w procesie technologicznym klasy 10 nanometrów.
K O M E N T A R Z E
NAND flash (autor: Conan Barbarian | data: 14/09/12 | godz.: 21:53) Pamiątki nadal potrzebne Apple i w 2014 przypomną sobie o Samsungu i ... przeproszą.
BTW - liczba cykli 1000 czy mniejsza?
Gdyby (autor: biuro74 | data: 15/09/12 | godz.: 00:39) to sie dzialo w Polsce, to musielibysmy sie dowiedziec, jaka czesc z tej inwestycji to lapowy, kto je wzial i ile gwiazd z sejmowych komisji sledczych sie na tym wybilo.
Samsung. (autor: mFuker | data: 15/09/12 | godz.: 01:08) Nie trzeba kochać ich telelfonów (sht) ani smartów.
Przyznać trzeba: cisną do przodu i nie widzą barier. Będą im "lizać" nie jedni.
@3 jak widac (autor: PrEzi | data: 15/09/12 | godz.: 01:33) Ich 'telelfonow' wcale nie kochasz.
Natomiast stosunek parametry/wyposazenie/cena jest chyba jednym z lepszych jakie widzialem, nie wdajac sie w dysputy typu - jaki smart chodzi na jakim systemie operacyjnym.
@01 - liczba zapisów (autor: bmiluch | data: 15/09/12 | godz.: 01:40) aż strach nazwać coś takiego pamięcią nieulotną ;)
biuro74 (autor: RusH | data: 15/09/12 | godz.: 07:07) chiny przoduja pod tym wzgledem, czlonkowie rzadu i administracji sa miliarderami
Hah 1 komorka pamieci TLC... (autor: gantrithor | data: 15/09/12 | godz.: 12:04) jest zapisywana i kasowana 3 krotnie matko jedyna masz racje trudno to nazwac pamiecia nieulotna xD
Jak już stawiają nową fabrykę (autor: Teriusz | data: 15/09/12 | godz.: 14:24) to zainwestowali by od razu w wafle 450mm. Będą się jeszcze grzebać z 300mm :/
@up (autor: Conan Barbarian | data: 15/09/12 | godz.: 15:20) nie inwestuje się w coś co nie istnieje - to ma być produkcja a nie badania nad nową technologią
7 nie (autor: RusH | data: 16/09/12 | godz.: 21:56) komorka tlc trzyma 3 bity
problem polega na tym ze
SLC = albo jest ladunek albo go nie ma, okolo 100000 elektronow w komorce), duzy margines bepieczenstwa bo komorka moze byc nawet bardzo zjchana i trzymac tylko 50000 a i tak zostanie odczytana poprawnie = wytrzyma duzo cykli
MLC - trzyma 2 bity, pierwszy zalezy od tego czy jest 100000 elektronow w komorce, drugi zalezy od tego czy jest dodatkowe 10000, margines bepieczenstwa o jeden rzad wielkosci mniejszy
TLC - trzyma 3 bity, pierwszy zalezy od tego czy jest 100000 elektronow w komorce, drugi zalezy od tego czy jest dodatkowe 10000, trzeci zalezy od tego czy jest dodatkowe 1000!!!!!, margines bepieczenstwa o kolejny rzad wielkosci mniejszy. w TLC dochodzimy praktycznie do fizyki kwantowej, o wartosci jednego bitu decytuja SETKI elektronow. Tutaj komorka jest bezuzyteczna juz w momecie gdy trzyma ~500 elektronow mniej niz fabrycznie, gdy SLC pomyka dalej nawet gdy trzyba o 50000 mniej niz fabrycznie.
kazde "wstrzykniecie" elektronow do komorki flasz powoduje jej degradacje(fizyczny stres), stad tak male ilosci cykli zapisu
@10 (autor: bmiluch | data: 17/09/12 | godz.: 12:54) aby dopełnić haosu, można wspomnieć jeszcze o problemach
spowodowanych przez samo odczytywanie:
@10. (autor: Mariosti | data: 17/09/12 | godz.: 13:36) Nikt przy zdrowych zmysłach nie wpadłby na tak głupi sposób interpretowania stanów komórki flash.
Nie podaję konkretnych wartości tylko zbliżone:
SLC- 1Bit, stan 0 -> 4-6V, 1 -> 1-4V
MLC- 2Bit, stan 00 -> 5.5-6.6V, 01 -> 4-5.5V, 10 -> 3-4V, 11 -> 1.5-3V
I odpowiednio w TLC. Zakresy interpretowanych napięć są ustalane tak aby był jak najszersze.
Jednocześnie na wykresach rozkładu prawdopodobieństw z tego pdf'a widać wyraźnie dlaczego przy przejściu z 2 zbiorów na 4 żywotność nie spada 2x tylko znacznie bardziej, bo zwyczajnie znacznie większa część zakresu napięć przypada na stany nieokreślone i dodatkowo powiększa się zakres błędu elektroniki programującej i czytającej komórki.
faktycznie sposob podalem z dupy :) (autor: RusH | data: 17/09/12 | godz.: 23:27) ale jest latwiejszy do zrozumienia przez ludzi potrafiacych liczyc do 10 (binary)
btw napiecia jakie podales tez sa z dupy, w przypadku flasz nie rozmawiamy o calych voltach, rozmawiamy o SETKACH pojedynczych elektronow
do tego zapomnialem dodac jaki wplyw na liczbe elektronow ma proces produkcji. w 10nm na bramce trzymajacej ladunek miesci sie 20 elektronow :o
