Samsung ogłosił wdrożenie rozpoczęcie masowej produkcji pamięci DRAM typu DDR3 w nowym, 20nm procesie wytwórczym. W fabrykach południowokoreańskiego producenta wytwarzane będą 4Gb (gigabitowe) kości pamięci, które posłużą do produkcji nowych pamięci RAM, zużywających podczas pracy mniej energii elektrycznej. W porównaniu do identycznych układów, wytwarzanych z użyciem 25nm procesu litograficznego, nowe, 20nm chipy konsumują nawet o 25% mniej energii, przy tych samych parametrach pracy, a więc zauważalnie mniej.
Warto odnotować, że Samsung już od dłuższego czasu produkował pamięci w 20nm, ale były to układy typu NAND Flash, które są znacznie prostsze w budowie niż kości DRAM.
K O M E N T A R Z E
Jeszcze nikt nie napisał komentarza.
D O D A J K O M E N T A R Z
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.
