SK Hynix ujawnił ogólny plan rozwoju przyjęty na rok 2017. Dowiadujemy się z niego między innymi o planach wdrożenia nowego procesu technologicznego w fabrykach wytwarzających układy DRAM, oraz kolejnej wersji pamięci NAND Flash. Oficjalny dokument mówi o rozpoczęciu w drugiej połowie roku produkcji chipów w litografii 10nm class (10-19nm). Zdaniem ekspertów SK Hynix zdecyduje się na litografię 18nm. Obecnie koncern korzysta z technologii 21nm, a przejście na niższy proces pozwoli firmie zwiększyć uzysk pamięci DRAM z jednego wafla krzemowego bez konieczności budowy nowych fabów.
Przy tej okazji warto wspomnieć, że analitycy z TrendForce zapowiadają 20% zwiększenie zapotrzebowania na pamięć DRAM w 2017 roku, przy czym prognozuje się, że producenci będą w stanie wyprodukować o 19% więcej chipów niż w roku 2016. Niestety większa dynamika popytu wpłynie negatywnie na ceny.
SK Hynix zapowiedział też liczne inwestycje w rozwój linii wytwarzających układy NAND Flash. Obecnie w fabrykach koncernu powstają wprowadzone w 2015r 36-warstwowe układy 3D MLC NAND o pojemności 128Gb (16GB, 3D-V2), oraz 48 warstwowe 256Gb pamięci TLC (32GB, 3D-V3), których produkcja ruszyła w 2016 roku. W tym roku lista układów TLC trzeciej generacji zostanie poszerzona o kolejne wersje o pojemnościach 512Gb, 1024Gb, 2048Gb, oraz 4096Gb. Zadebiutuje też czwarta generacja pamięci NAND Flash TLC z 72 warstwami i większymi blokami pamięci ( 13,5MB zamiast 9MB).
Producent zapowiedział też otwarcie drugiego piętra w fabryce M14. Będą się na nim znajdować maszyny do produkcji układów NAND Flash.
K O M E N T A R Z E
Jeszcze nikt nie napisał komentarza.
D O D A J K O M E N T A R Z
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.
