|
TwojePC.pl © 2001 - 2024
|
 |
RECENZJE | Recenzja pamięci Patriot 128GB microSD oraz 16GB 3600MHz Viper Elite II |
 |
| |
|
Recenzja pamięci Patriot 128GB microSD oraz 16GB 3600MHz Viper Elite II
Autor: Wedelek | Data: 01/12/22
|
  Projektując nowego PCta lub kupując nowy aparat często zdajemy się zapominać o tym, jak ważnym elementem jest pamięć w którą urządzenia te wyposażymy. Jeśli w pogodni za oszczędnościami zdecydujemy się na budżetowy RAM lub najtańszą pamięć na dane to najprawdopodobniej bardzo szybko pożałujemy swojego wyboru. Ostatecznie nasz produkt będzie bowiem tak szybki jak jego najsłabsze ogniwo. Dlatego też nie wato na tym polu przesadnie oszczędzać. Kierując się tą zasadą przyjrzymy się dziś dwóm produktom firmy Patriot: pamięciom RAM 16GB (2x8GB) 3600MHz CL20 z serii Viper Elite II oraz karcie pamięci Patriot 128GB EP microSDXC. | |
|
Patriota przedstawiać nikomu raczej nie trzeba
Patriot Memory to jeden z najbardziej rozpoznawalnych producentów wszelkiej maści pamięci dla urządzeń elektronicznych. W portfolio tej firmy możemy znaleźć zarówno budżetowe modele jak i TOPowe, uznawane przez entuzjastów z całego świata produkty klasy premium. Amerykanie zajmują się też wytwarzaniem całkiem ciekawych urządzeń peryferyjnych dla graczy, ale to właśnie ich dział pamięci jest najważniejszą częścią całego przedsiębiorstwa, które na tym rynku działa nieprzerwanie od 1985 roku.
Pojemność i szybkość
W zasadzie każdy rodzaj pamięci, bez względu na jej przeznaczenie charakteryzują dwa parametry: pojemność, oraz szybkość odczytu i zapisu danych. W obu tych przypadkach z im większymi cyferkami mamy do czynienia tym lepiej. Oczywiście zakładając, że ten lepszy produkt wciąż mieści się w wybranym przez nas przedziale cenowym. Jeśli chodzi o pojemność, to parametr ten jest łatwy do porównania i intuicyjny, przez co nie trzeba go raczej nikomu tłumaczyć - każdy rozumie gigabajt. Zupełnie inaczej jest w przypadku wydajności, bo producenci RAMu podają nam nie jedną a kilka właściwości opisujących prędkość.
źródło: wikipedia.org
Trochę teorii
Nim jednak zagłębimy się w cyferki weźmy na tapetę standardowe pamięci RAM typu DDR4. Specyfikacja techniczna mówi nam, że układy tego typu pracują z napięciem 1,2V i składają się z 16 banków pamięci zgrupowanych po cztery. Przepustowość jaką mają oferować mieści się w zakresie 17 GB/s - 35.3 Gb/s, a na rynku spotkamy dwa typy modułów: DIMM z 288 pinami i SO-DIMM z 260 pinami.
Każdy z takich RAMów, czyli pamięci swobodnego dostępu, które kasują dane po odcięciu dopływu prądu, ma działać tak samo z każdą kompatybilną płytą główną i z każdym procesorem wyposażonym w odpowiedni kontroler.
W praktyce jednak na rynku szybko pojawiły się modele, które nie tylko oferują większą przepustowość niż wynikałoby to ze standardu, ale też pracują z wyższym nominalnym napięciem. Do tego modele dedykowane dla entuzjastów pozwalają na zmianę częstotliwości z jaką tyka ich wewnętrzny zegar a także na modyfikację zachowania samego kontrolera. Co więcej aby ułatwić użytkownikom wyciskanie ze sprzętu maksymalnej wydajności na stronie producenta są publikowane specjalne profile, które są skrojone specjalnie pod wybraną konfigurację sprzętu.
Przedstawicielem takich dopakowanych RAMów jest recenzowany dziś model Patriot 16GB (2x8GB) 3600MHz CL20 Viper Elite II, który, jak się zapewne domyśliliście, ma wszystkie z wymienionych wyżej cech. Nim jednak zagłębimy się w jego specyfikacji i osiągach wyjaśnijmy sobie po krótce skąd w zasadzie bierze się przewaga jednych pamięci nad innymi. No i o co w ogóle chodzi z tymi timingami?
Częstotliwość? Timingi, a co to?
Zacznijmy od tego, że każda pamięć RAM składa się z kontrolera i kości pamięci umieszczonych na płytce drukowanej, które zostały połączone ze sobą za pomocą zatopionymi w laminacie ścieżek. Ich długość i ułożenie ma oczywiście wpływ na to jak wydajna będzie pamięć RAM, ale tak naprawdę to same kości pamięci grają tu pierwsze skrzypce.
Każda taka kość pamięci RAM jest zbudowana z bloków ułożonych w macierz składającą się (co oczywiste) z wierszy i kolumn. Wbudowany w moduł kontroler wie gdzie dokładnie są ulokowane konkretne komórki danych i na tej podstawie planuje oraz kolejkuje konkretne operacje. To jak dużo wykona ich w ciągu sekundy zależy od tego jak krótko trwa jeden cykl odmierzany tzw. Taktami zegara.
Wartość ta jest wyrażona w Megahercach czyli jednostce częstotliwości, a w zasadzie jej krotności (milionie Hz). Im jest ona wyższa, tym więcej takich operacji uda się wykonać w czasie jednej sekundy i tym szybciej działa cała pamięć.
Na tym jednak nie koniec, bo w procesie przesyłu danych powstają pewnego rodzaju opóźnienia, które są spowodowane czasem potrzebnym na wykonanie nie tylko operacji zapisu i odczytu danych, ale również innych, dodatkowych instrukcji. Żeby nie było za prosto to ich długość zależy również od tego jak sprawnie działa sam kontroler oraz oczywiście od długości ścieżek, którymi przepychane są dane.
Nazwa DDR (Double Data Rate) oznacza, że w jednym takcie zegarowym można przesłać dwa sygnały będące zmianą stanu napięcia (wzrost i spadek), co dodatkowo zwiększa wpływ częstotliwości pracy na wydajność całego modułu.
Tyle tylko, że jak już wiecie z uwagi na budowę pamięci RAM nie da się przeznaczać całej tej wydajności jedynie na odczyt i zapis danych. Każdy blok pamięci budują niewielkie kondensatory, które w trakcie swojej pracy nieustannie tracą zgromadzony w nich ładunek elektryczny. Ten musi być więc co jakiś czas regenerowany, bo w przeciwnym razie dane zostałyby utracone bezpowrotnie. Aby to zrobić konieczne jest najpierw wprowadzenie całego wiersza z blokami w stan bezczynności o nazwie Precharge, a potem w docelowy stan REF (Refreshing), co na chwilę wyłącza go z użytku. Dopiero po wykonaniu tej akcji bank będzie mógł być znów aktywowany i w konsekwencji użyty do odczytu lub zapisu danych. W trakcie tych operacji powstają więc pewne okresy w których pamięć pozostaje z punktu widzenia użytkownika bezczynna. Przy tym wbrew pozorom takie przełączanie się pomiędzy różnymi stanami jest dość częste.
A przynajmniej na tyle, że proces ten ma to ogromny wpływ na wydajność całego modułu. Najlepszym dowodem na to jest fakt, że producenci podają nawet parametry tzw. opóźnień (lub timingów) mających największy wpływ na wydajność (grupa primary). Obejmują one odpowiednio opóźnienia CAS (CL), tRAS, tRP oraz tRCD.
Nie będziemy ich tu wszystkich szczegółowo opisywać, ale np. CAS oznacza czas odczytu bajtu danych z aktywnej strony pamięci (zawiera kilkadziesiąt bloków), tRAS mówi nam jak dużo czasu musi upłynąć by został aktywowany blok pamięci wyłączony z użytku celem uzupełnienia strat w ładunku, a tRTP wskazuje na czas jaki upływa pomiędzy ostatnim odczytem danych a przełączeniem się pamięci w tryb Precharge.
|
|
|
|
 |
 |
 |
|
|
|
poprzednia strona (Patriota przedstawiać nikomu raczej nie trzeba) - 
