Twoje PC  
Zarejestruj się na Twoje PC
TwojePC.pl | PC | Komputery, nowe technologie, recenzje, testy
M E N U
  0
 » Nowości
0
 » Archiwum
0
 » Recenzje / Testy
0
 » Board
0
 » Rejestracja
0
0
 
Szukaj @ TwojePC
 

w Newsach i na Boardzie
 
TwojePC.pl © 2001 - 2019
RECENZJE | Test SSD: Intel 510 250GB, Intel 520 240GB, Samsung 830 256GB
    

 

Test SSD: Intel 510 250GB, Intel 520 240GB, Samsung 830 256GB


 Autor: phtm | Data: 29/02/12
     

Info o kontrolerach i pamięciach

Każdy z bohaterów naszego testu posiada inny kontroler, co uatrakcyjni nam porównanie odmiennych rozwiązań.

Intel 510

Dyski Intela z serii 510 wykorzystują kontroler Marvell 88SS9174-BKK2 obsługujący standard SATA 6 Gb/s. SSD 510 w przeciwieństwie do kontrolerów SandForce, które nie potrzebują dodatkowej pamięci, wyposażono w bufor pamięci podręcznej wielkości 128 MB. Jest to pamięć Hynix DDR3 1,333 GHz DRAM. Testowany dysk został wyposażony w szesnaście kości pamięci NAND Flash typu MLC (Multi-level-cell) produkcji Intel/Micron o wielkości 16 GB każda , pamięci zostały wykonane w starszym już nieco procesie technologicznym 34 nm.

Deklarowana, maksymalna szybkość odczytu sekwencyjnego dysku podana w specyfikacji wynosi odpowiednio 500MB/s dla odczytu i 315 MB/s i dla zapisu.

Czas bezawaryjnej pracy (MTBF) określono na 1,2 mln godzin. Pojemność użytkowa testowanego modelu wynosi 232 GB. Oprogramowanie wewnętrzne nośników obsługuje polecenia TRIM oraz procesy Garbage Collection, co zapobiega degradacji szybkości zapisu. Dyski obsługują również kolejkowanie poleceń wewnętrznych NCQ.

Intel 520

Intel w serii 520 zdecydował się zastosować dobrze znany i wydajny kontroler SandForce SF-2281. Opisywaliśmy już dokładniej w/w chip w naszym wcześniejszym artykule, więc zainteresowanych odsyłamy pod ten adres. Testowany dysk został wyposażony w szesnaście kości pamięci NAND Flash typu MLC (Multi-level-cell) produkcji Intel/Micron o wielkości 16 GB każda, pamięci zostały wykonane procesie technologicznym 25 nm.

Samsung 830

Samsung w serii 830 zdecydował się na zastosowanie swojego autorskiego rozwiązania bazując na kontrolerze i pamięci swojej produkcji. Testowany przez nas dysk ma pojemność 256 GB, składa się z 8 pamięci Samsunga wykonanych w procesie technologicznym 20 nm Toggle MLC DDR NAND o pojemności 32 GB każda.

Do dyspozycji dysk posiada również 256 MB pamięci podręcznej Samsung DDR2 SDRAM. Wszystkim tym zarządza trzyrdzeniowy kontroler Samsunga S4LJ204X01-Y040.

Firmware dysku zoptymalizowany został tak, aby zmaksymalizować wydajność i jednocześnie zminimalizować zużywanie komórek pamięci. Urządzenie obsługuje funkcję TRIM i "Garbage Collection".

Firma chwali się tym, że zastosowane rozwiązanie zostało w całości opracowane przez firmę Samsung. Poniżej przedstawiamy bardziej szczegółowe dane, którymi chwali się Samsung w swoich publikacjach na temat dysku.


Toggle DDR NAND Flash

Chipy pamięci Toggle DDR NAND Flash klasy 20 nm umożliwiają transfer danych z prędkością do 133 Mb/s.


3-rdzeniowy sterownik MCX na bazie ARM9

Podczas gdy większość producentów dysków SSD polega na standardowych, dwurdzeniowych sterownikach, firma Samsung opracowała własne rozwiązanie: trzyrdzeniowy sterownik MCX. Trzy rdzenie procesora na bazie ARM9 mogą realizować kilka poleceń jednocześnie - umożliwiając, na przykład, alokację jednego rdzenia do odczytu danych, drugiego - do zapisu, a trzeciego do optymalizacji.







Polub TwojePC.pl na Facebooku

Rozdziały: Test SSD: Intel 510 250GB, Intel 520 240GB, Samsung 830 256GB
 
 » Wstęp i specyfikacja techniczna
 » Wyposażenie
 » Info o kontrolerach i pamięciach
 » Platforma i procedura testowa
 » Testy syntetyczne
 » Testy 'praktyczne'
 » Konkluzja
 » Kliknij, aby zobaczyć cały artykuł na jednej stronie
Wyświetl komentarze do artykułu »