SOI - o co w tym dokladnie chodzi

	B O A R D
	» Board » Zadaj pytanie » Archiwum » Szukaj » Stylizacja

M E N U

» Nowości

» Archiwum

» Recenzje / Testy

» Board

» Rejestracja

Szukaj @ TwojePC

	OBECNI NA TPC
	» JE Jacaw 07:46 » b0b3r 07:45 » cVas 07:44 » Dexter 07:43 » Gniew 07:42 » DYD 07:32 » steve 07:31 » mr-owl 07:29 » Kenny 07:25 » NimnuL 07:23 » leosh 07:21 » Robak 07:17 » waski 07:09 » kemilk 06:57 » PCCPU 06:56 » AfiP 06:55 » Miron 06:48 » Ziomek 06:40 » ProSavage 06:25 » PeKa 06:22 Dzisiaj przeczytano 41113 postów, wczoraj 25974 Szybkie ładowanie jest: włączone.

ccc

A R C H I W A L N A W I A D O M O Ś Ć

SOI - o co w tym dokladnie chodzi , Nazgul 11/11/03 13:36
czy rozni sie ten proces technologiczny od takie w jakim sa teraz robione Athlony XP? Zawsze mnie to ciekawilo. Szukalem w archiwum ale nioe bylo takiego czegos.pozdr

people can fly, anything
can happen...
..Sunrise..

tu chyba , Birdman 11/11/03 13:54
chodzi o metode produkcji tranzystora i rodzaj wykorzystywanych materialow; (0 - oxide, I - insulator a S to nie wiem (ale chyba krzem))
ping?
1. to raczej skrót , 123er 11/11/03 13:55
  od Silicon on insulator
  E7300@3,6GHz,ABIT AB9,OCZ
  2GB@900,seagate320GB+80GB,
  WD640GB,F3 1TB,MSI 9600GT,Audigy2ZS
  1. mozliwe , Birdman 11/11/03 13:57
    nie bede sie kłucił... (chyba mi sie z MOS pomyliło (Metal-Oxide-Semiconductor))
    ping?
moge Ci jedynie , acd 11/11/03 14:08
przetmuaczyc skrot : Krzen na Izolatorze .Zadne XP nei sa robione w tej technologii
>>> We are The BOARD. Resistance
is futile.<<<
może to coś wyjaśni , 123er 11/11/03 14:18
ja nie czytałem, ale jest coś o soi
http://researchweb.watson.ibm.com/.../shahidi.html
E7300@3,6GHz,ABIT AB9,OCZ
2GB@900,seagate320GB+80GB,
WD640GB,F3 1TB,MSI 9600GT,Audigy2ZS
1. soi w AMD , 123er 11/11/03 14:21
  tu jeszcze o współpracy IBM-AMD
  http://www-3.ibm.com/chips/news/2003/0108_amd.html
  E7300@3,6GHz,ABIT AB9,OCZ
  2GB@900,seagate320GB+80GB,
  WD640GB,F3 1TB,MSI 9600GT,Audigy2ZS
glowne tendencje , ErAZoR 11/11/03 14:41
w mikroelektronice sa takie - chcemy szybciej ( wieksze f ),
wiecej za te same pieniadze ( wieksza skala integracji , upakowanie elementow , zmniejszanie wymiarow technologicznych ) , obnizanie poboru mocy ( mniejsze napiecia zasilania , mniejsze napiecia progowe) . Obecnie wykorzystywana technologia (CMOS, BiCMOS )dochodzi do kresu swych mozliwosci - zmiany dlugosci kanalow, koncentracji domieszek,uzywanie nowych dielektrykow nie przynosi juz oczekiwanych efektow . Technologia SOI daje nowe kierunki rozwoju - jej glowne zalety to mniejsze wymiary, wieksza szybkosc dzialania( nawet 30-40 % ) , bardzo dobre charakterystyki napieciowe. Glowna przeszkoda w szybkim rozwoju sa koszta - b. droga litografia ( koszta maszyn to mld $ ) . Troche info znajdzies pod adresem
http://scalak.elektro.agh.edu.pl/students/VLSI/
pozdr.
IQ 95@133 at 40 %
ok dzieki , Nazgul 11/11/03 14:51
co nie co juz sie wyjasnilo
people can fly, anything
can happen...
..Sunrise..