Intel zaprezentował funkcjonalne układy pamięci SRAM (Static Random Access Memory) wykonane w procesie technologicznym 45 nanometrów. Oznacza to kontynuację dalszego rozwoju zgodnie z Prawem Moore'a poprzez nową generację procesu technologicznego co dwa lata. 45-nanometrowe układy SRAM posiadają ponad miliard tranzystorów. Co prawda nie mają one być produktami Intela, jednak doskonale obrazują wydajność technologii oraz niezawodność procesorów i innych układów, które będą wykonane w technologii 45 nm. To pierwszy krok w kierunku rozpoczęcia masowej produkcji najbardziej zaawansowanych technologicznie urządzeń na świecie. Wstępne prace związane z wdrożeniem procesu technologicznego 45 nm są obecnie prowadzone w zakładzie D1D w Oregonie. Intel poinformował również o planach uruchomienia dwóch fabryk produkujących na masową skalę układy w procesie technologicznym 45nm w Arizonie (Fab 32) oraz w Izraelu (Fab 28).
K O M E N T A R Z E
Boziu, ale te układy wielkie (autor: Auror | data: 26/01/06 | godz.: 00:20) jak lustro w przedpokoju!
^_^
to male (autor: Franz | data: 26/01/06 | godz.: 13:42) masz lusterko :P
cacko (autor: lewus | data: 27/01/06 | godz.: 21:06) już to chcę
D O D A J K O M E N T A R Z
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.
