Już od jakiegoś czasu słychać głosy o zwolnieniu tempa rozwoju układów elektronicznych ze względu na fizyczne ograniczenia wielkości układów. Jednak jeśli czegoś nie można zmniejszyć to można to przyspieszyć. Tajwańska firma TSMC zamierza rozpocząć produkcję układów opartych na technologii hybrydowego połączenia krzemu i germanu (SiGe) w 2002 roku. Bramki logiczne zbudowane w tej technologii mogą pracować z częstotliwościami dwa razy większymi od obecnych układów krzemowych. Są one zdolne do działania z częstotliwością do 120GHz przy użyciu procesu 0.18 mikrona. Po przejściu na standard 0.13 mikrona, możliwe będzie przyspieszenie działania do 160GHz. TSMC twierdzi, że jest pierwszą firmą, która jest w stanie wytworzyć układy SiGe 0.35 mikrona już teraz. Nowa technologia może zastąpić standardowy krzem niemal we wszystkich zastosowaniach, zapewniając m.in. mniejszy pobór mocy i lepszą liniowość układów. Jest ona także znacznie tańsza od innej alternatywy krzemu - arsenku galu.
K O M E N T A R Z E
Jeszcze nikt nie napisał komentarza.
D O D A J K O M E N T A R Z
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.
