Tajwańska firma TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company), zajmująca się produkcją układów półprzewodnikowych na zamówienie, poinformowała o rozpoczęciu produkcji pamięci eDRAM w technologii 65 nm. Skrót eDRAM oznacza embedded DRAM - są to pamięci DRAM zintegrowane w strukturze innych układów, na przykład procesorów, mogące zastąpić pamięci podręczne typu SRAM. Ponadto pamięci eDRAM przy tej samej pojemności zajmują znacznie mniejszą powierzchnię niż SRAM.
Pierwszym układem z eDRAM w technologii 65 nm produkowanym przez TSMC jest GoForce 5300 firmy nVidia - jest to układ graficzny dla urządzeń przenośnych. TSMC produkuje także układ graficzny Xenos z pamięcią eDRAM, opracowany przez ATI i stosowany w konsoli Xbox 360 - jak na razie produkowany jest on w 90 nm, a jego produkcja w 65 nm ma się rozpocząć w późniejszym terminie w tym roku.
K O M E N T A R Z E
mogące zastąpić pamięci podręczne typu SRAM (autor: RusH | data: 9/03/07 | godz.: 15:30) nie mogace
IBM (lider edram) potrafi zejsc tylko do 1.5ns w 65nm, czyli ~650MHz, przy czym random acces to marne 2ns (500mhz).
Nastepna roznica. EDRAM to jeden tranzystor + jeden kondensator + logika odswiezajaca zawartosc dla calego bloku edram. SRAM to 4-6 tranzystorow. Niestety nie wychodzi to magicznie 4-6x wiecej pamieci po zamianie technologii wlasnie z powody tej logiki odswiezajacej. KAZDY DRAM TRACI zawartosc po odczycie, bo odczyt = wyladowanie kondensatora, dlatego po kazdym odczycie musi nastapic odswiezenie = wolniejszy dostep. Do tego Dram adresuje sie kolumna + wiersz multiplexowane = znowu wolniejszy dostep, SRAM ma oddzielne wyprowadzenia dla kolumn i wierszy = adresowanie nastepuje w jednym cyklu i jest przez to szybsze.
Oznacza to tylko tanszy wolniejszy cache, nadaje sie moze na L3.
