Samsung przedstawił nowy sposób produkcji kości pamięci DRAM, który ma pozwolić na zwiększenie pojemności przy jednoczesnym zmniejszeniu poboru mocy i ilości zajmowanego miejsca. Rozwiązanie to nosi nazwę TSV (Through Silicon Via) - dzięki niemu możliwe jest umieszczenie czterech 512 Mbit kości pamięci DRAM DDR2 w obudowie o wielkości pojedynczej kości, dając wynikowo 2 Gbit kość pamięci. Tak stworzone 2 Gbit kości pamięci mają ułatwić produkcję 2 GB, a przede wszystkim 4 GB, modułów pamięci DRAM DDR2. Przedstawione rozwiązanie ma być stosowane od około 2010 roku.
K O M E N T A R Z E
Jeszcze nikt nie napisał komentarza.
D O D A J K O M E N T A R Z
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.
