Samsung poinformował o wyprodukowaniu pierwszych partii 2Gb chipów pamięci DDR3 w procesie technologicznym 50nm. Układy mogą pracować z częstotliwością 1333 MHz, a do poprawnej pracy wymagane jest napięcie zasilania o wartości 1.5V. Według producenta nowe 2Gb chipy pobierają o 40% mniej energii w porównaniu do dwóch 1Gb układów produkowanych obecnie. Układy pozwolą na budowę modułów pamięci o niedostępnej dotychczas pojemności 4GB, lub 2GB w niższych cenach niż przy wykorzystaniu dotychczasowych 1Gb chipów. Masowa produkcja nowych chipów rozpocznie się pod koniec obecnego roku.
K O M E N T A R Z E
dobry news dla potencjalnych chętnych na Nehalema (autor: AbrahaM | data: 29/09/08 | godz.: 16:03) praca na 1.5V, niższy pobór energii, no, coś się zaczyna powoli normalniej robić, choć lepiej by było gdyby nehalem nie miał problemu z napięciem wyższym niż 1.65V
... (autor: arhibald | data: 29/09/08 | godz.: 16:30) tak czy inaczej albo coś z tym zrobią albo lipa z oc :/ wielkie rozczarowanie jak z pierwszymi core duo
D O D A J K O M E N T A R Z
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.
Samsung poinformował o wyprodukowaniu pierwszych partii 2Gb chipów pamięci DDR3 w procesie technologicznym 50nm. Układy mogą pracować z częstotliwością 1333 MHz, a do poprawnej pracy wymagane jest napięcie zasilania o wartości 1.5V. Według producenta nowe 2Gb chipy pobierają o 40% mniej energii w porównaniu do dwóch 1Gb układów produkowanych obecnie. Układy pozwolą na budowę modułów pamięci o niedostępnej dotychczas pojemności 4GB, lub 2GB w niższych cenach niż przy wykorzystaniu dotychczasowych 1Gb chipów. Masowa produkcja nowych chipów rozpocznie się pod koniec obecnego roku.