Intel oraz Micron opracował trójpoziomowe pamięci NAND flash
Autor: Zbyszek | źródło: TechConnect | 08:05
(7)
Spółka IM Flash Technologies, założona przez firmy Intel oraz Micron, poinformowała o opracowaniu i wyprodukowaniu pierwszych egzemplarzy trójpoziomowych pamięci NAND flash MLC (Multi-Level Cell). Aktualnie produkowane przez IM Flash Technologies pamięci MLC mogą zapamiętać dwa bity danych w jednej komórce. Nowe, trójpoziomowe pamięci zdolne są w analogicznej komórce przechować aż trzy bity informacji, dzięki czemu gęstość zapisu danych wydatnie wzrasta. Chipy zostały wyprodukowane w 34-nanometrowym (nm) procesie technologicznym i oferują pojemność 32Gb (4GB). Masowa produkcja układów rozpocznie się w czwartym kwartale obecnego roku. Nowe pamięci pozwolą na budowę dysków SSD o zwiększonej pojemności.
K O M E N T A R Z E
Czyli (autor: shadowxxz | data: 17/08/09 | godz.: 08:37) cena jednostkowa w dół, ale szybkość i żywotność też w dół...
Ale czy potrzebujemy jeszcze wolniejszych pamięci flash? (autor: Rhobaak | data: 17/08/09 | godz.: 09:42) Myślałem, że te istniejące są już wystarczająco wolne.
Napewno trójpoziomowe? (autor: Omos | data: 17/08/09 | godz.: 10:37) Jeśli przechowywane są za jednym razem 3 bity informacji, to konieczne jest rozpoznawanie 8 różnych wielkości napięcia przechowywanych w komórce. Chyba, że się mylę. Niech mnie ktoś naprostuje.