Intel i Micron produkują 25nm pamięci NAND flash TLC [wideo]
Autor: Zbyszek | źródło: Bit-Tech | 19:07
(15)
Spółka IM Flash Technologies, założona przez firmy Intel oraz Micron, poinformowała o rozpoczęciu produkcji testowej nowych trójpoziomowych pamięci NAND flash TLC (Triple-Level Cell), mogących zapamiętać aż trzy bity danych w jednej komórce. Nowe pamięci produkowane są w 25-nanometrowym wymiarze technicznym, oferują pojemność 64Gb (8GB) i mają powierzchnię 131mm2. Dla porównania aktualnie produkowane przez IM Flash Technologies 34-nanometrowe pamięci w analogicznej komórce mogą zapamiętać tylko dwa bity danych i oferują sumaryczną pojemność 32Gb (4GB). Masowa produkcja nowych pamięci rozpocznie się w czwartym kwartale obecnego roku.
(Zdjęcie pamieci NAND Flash TLC)
K O M E N T A R Z E
piękna technologia na cache CPU (autor: Qjanusz | data: 17/08/10 | godz.: 19:33) ...
ojjj (autor: Zbyszek.J | data: 17/08/10 | godz.: 19:37) od cache w procesorach to flash, nawet SLC się różni, i to znacznie...
@Zbyszek.J (autor: Qjanusz | data: 17/08/10 | godz.: 19:43) mam na myśli samą koncepcję Triple-Level Cell w zastosowaniu, gdzie powierzchnia jest na miarę złota.
Oczywiście technologia NAND flash to zdecydowanie nie to. Jeszcze nie to :-)
... (autor: Zbyszek.J | data: 17/08/10 | godz.: 19:59) Czyli chodzi Ci o "Triple-Level Cell" SRAM. Niestety to nie wypali - w procesorach nie opłaca się zwiększać pojemności cache kosztem opóźnień. Dla wydajności liczą się głównie jak najmniejsze opóźnienia (liczone w cyklach zegara CPU).
Gdyby było inaczej, to rolę pamięci L3 równie dobrze mogłaby spełniać np. połowa pamięci RAM komputera.
ok... (autor: Qjanusz | data: 17/08/10 | godz.: 20:47) trzyma się kupy to co piszesz.
hmm (autor: morgi | data: 17/08/10 | godz.: 20:50) Porownac mozna se do dram, tanie w produkcji i mala ilosc tranzystorow potrzebna na bit cell, przez co i niski power, wieksza gestosc. Sram uzywane w cepach to 6 i 8T, ale jakie szybkie...
hmm... (autor: rcicho | data: 17/08/10 | godz.: 22:00) To się w głowie nie mieści jaki postęp jest w tej technologii.
rcicho (autor: Markizy | data: 17/08/10 | godz.: 22:09) choć swoja drogą mogli by opracować coś nowszego, zamiast ciągle pracować flash w NANDach (jest jeszcze drugi typ bramek zadziej używany), mogli by opracować jakieś układy wyspecjalizowane w przechowywaniu pamięci.
ad8 (autor: damw | data: 18/08/10 | godz.: 00:51) Markizy, z tego co pamietam z elektroniki (a to dawno bylo i dlatego moge sie mylic) na nandach jest duzo latwiej to wszystko zaprojektowac, bo zajmuja mniej miejsca
damw (autor: Markizy | data: 18/08/10 | godz.: 09:13) fakt, ale czasy idą do przodu wiec mogli by coś nowszego opracować :)
at #10 (autor: Omos | data: 18/08/10 | godz.: 09:56) I opracowano (FeRAM, MRAM, PMC, PCM), tylko nie wiadomo na ile są one obiecujące. Do granicy fizycznych możliwości już daleko nie zostało. Rozwój technologi NAND czy NOR flash w końcu do niej dojdzie. Co wtedy? Albo to co powyżej, albo ulepszanie i pójście w kierunku MLC (na całego) lub wielowarstwowe (3D, chodzi warstwy fizyczne) układy flash.
Omos (autor: Markizy | data: 18/08/10 | godz.: 10:43) właśnie tego chciałem się dowiedzieć :)
Czyżby HTC HD3 jednak nadchodzi? (autor: Eskan | data: 18/08/10 | godz.: 11:33) I to chyba dużymi krokami. A tak wielu śmiało się z domniemanej specyfikacji błakajacej się po necie. Może ten koncept to jednak nie fake. O gustach się nie dyskutuje, ale jak dla mnie to wygląd w koncepcie jest powalający! Na "+" :)
post 13 (autor: Eskan | data: 18/08/10 | godz.: 11:35) Przenieść do innego arta he ;)
O postep nie ma obaw (autor: morgi | data: 18/08/10 | godz.: 15:02) nie po to pompuje sie miliardy w badania, zeby po 2017 nie bylo asow w rekawie.
D O D A J K O M E N T A R Z
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.
