IM Flash Technologies (IMFT), czyli spółka joint venture powołana do życia przez Intela oraz Micron zapowiedziała, że w styczniu przyszłego roku ruszy produkcja próbek inżynieryjnych nowych, 128 gigabitowych pamięci MLC NAND Flash, produkowanych z wykorzystaniem 20nm procesu produkcji i metalowych bramek o wysokiej stałej dielektrycznej (High-K). Nowe układy są zgodne ze standardem ONFI 3.0 i mimo iż nie są w stanie zapewnić pełnej, wynikającej ze standardu wydajności 400MT/s, to i tak mogą się poszczycić bardzo dobrym wynikiem 333 MT/s.
Osiem takich 128-bitowych układów daje w sumie 1 Tb pamięci, czyli w 128GB, co w połączeniu z niższym procesem technologicznym pozwoli na budowę pojemniejszych i tańszych SSD. Jeśli chodzi o żywotność poszczególnej komórki pamięci, to ta nie ulegnie drastycznym zmianom w stosunku do technologii 25nm.
K O M E N T A R Z E
SSD (autor: Conan Barbarian | data: 7/12/11 | godz.: 13:32) Pamięci pamięciami, ale bardziej mnie interesuje kontroler w produktach Intela i OCZ.
To mają już, czy w styczniu będą mieć? (autor: Pio321 | data: 7/12/11 | godz.: 18:43) Bo nie wiem co teraz mają.
zapisy (autor: RusH | data: 7/12/11 | godz.: 20:48) "At 50nm IMFT NAND was good for 10,000 program/erase cycles (rated, not actual). The move to 34nm dropped that to 3000 - 5000 program erase cycles, a value that was maintained with the move to 25nm. I asked Micron how long NAND will last at 20nm and was told that p/e cycles are comparable to where 25nm was at a similar point in its development cycle"
czyli cos ze 2000 zapisow na blok :)
D O D A J K O M E N T A R Z
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.
