Twoje PC  
Zarejestruj się na Twoje PC
TwojePC.pl | PC | Komputery, nowe technologie, recenzje, testy
M E N U
  0
 » Nowości
0
 » Archiwum
0
 » Recenzje / Testy
0
 » Board
0
 » Rejestracja
0
0
 
Szukaj @ TwojePC
 

w Newsach i na Boardzie
 
TwojePC.pl © 2001 - 2019
Wtorek 24 lutego 2015 
    

Samsung wyprzedzi Intela w wyścigu na miniaturyzację tranzystorów?


Autor: EmilM | źródło: G 4 Games | 20:17
(11)
Nie ma wątpliwości, że proces litograficzny w jakim wykonane są procesory ma ogromne znaczenie dla ostatecznej wydajności energetycznej układu. Wie to na pewno Intel, który najszybciej spośród wielkich graczy osiągnął możliwość produkcji w technologii 14 nm. Wie to również Samsung, który dość szybko doścignął lidera i rozpędził się tak bardzo, że niedługo może go nawet wyprzedzić. Podczas ostatniej konferencji ISSCC (International Solid State Circuits Conference) gigant ten zaprezentował proces litografii 10 nm FinFET, który Koreańczycy już niedługo zamierzają wykorzystać do produkcji procesorów, głównie mobilnych.

Produkcja ruszyć ma już w przyszłym roku. Z pewnością Samsung zajął się już przygotowywaniem nowych 10-nanometrowych układów, przeznaczonych dla przyszłych mobilnych urządzeń z serii Galaxy.

 

    
K O M E N T A R Z E
    

  1. dzięki temu mogą znów zwiększyć udziały w rynku (autor: Sławekpl | data: 24/02/15 | godz.: 20:45)
    swoich fonów, mniejsze baterie, cieńsze słuchawki, taby, dłużej działające, nawet nie muszą projektować swoich układów tylko obecne exy przenieść do niższego wymiaru
    dotychczasowe działania pokazują że najnowszy proces będzie wykorzystywany tylko do produkcji ich układów, no może jeszcze japko się załapie o ile odpowiednio więcej zapłaci...
    snapy przestaną być konkurencyjne, będą musieli zejść do poziomu cen MTK aby je sprzedać jeśli Samsung swoje układy zdecyduje wypuścić na rynek dla innych producentów w większej ilości co jest bardzo prawdopodobne
    zapowiada się niezła walka, poproszę popcorn :)


  2. Może i dobrze byłoby, gdyby tak (autor: pwil2 | data: 24/02/15 | godz.: 21:10)
    Samsung kupił AMD. HD7970 w 10nm i FX-8350 w 10nm mogłyby mieć TDP 75W i 55W, a kosztować tyle co GTX 750Ti i Pentium Dual Core. A w topowych kartach 8192SP, 8GB HBM2.0.

    Plus trochę mln $ na dział oprogramowania/sterowników.


  3. Czy ja wiem czy Samsung doścignął Intela (autor: Teriusz | data: 24/02/15 | godz.: 21:16)
    http://www.extremetech.com/...Features-640x490.jpg

    Ale swoją drogą przydałoby się by ktoś konkurował z Intelem, chociażby w procesie litograficznym, bo w x86 AMD już ogłosiło, że zaprzestaje walczyć z intelem o wydajnościowy prym.


  4. Teriusz no właśnie, 14nm chipzilli a 14nm Samsunga (autor: Sławekpl | data: 24/02/15 | godz.: 21:28)
    nie są podobne, trochę różnic jest, Samsung aż tak zaawansowany nie jest, ale jeśli zejdą do 10nm szybciej to i te różnice zanikną i reszta układu też przejdzie na niższy wymiar (tak sądzę)
    a wyprzedzą innych w ARM o przynajmniej 2-3 lata
    to teraz wiadomo czemu chipzilla tak się pospieszyła z przeniesieniem atomków do niższego procesu z czym cały czas zwlekali :P


  5. 2 ciekawostki (autor: RusH | data: 24/02/15 | godz.: 21:31)
    1/ samsung zostal pozwany przez TSMC, bo podprowadzil im kilku inzynierow :) TSMC twierdzi ze Samsung ukradl ich 14 nm, problem w tym ze Samsung MA i produkuje w tej technologii, a TSMC nadal sie boryka z problemami i sobie nie radzi. Ciezko zrozumiec jak mozna ukrasc cos niedzialajacego i kilka miesiecy pozniej sprzedawac sprawny produkt, gdy pierwotny wlasciciel nadal ma problemy :))

    propo i nie na temat - Apple podprowadzil pracownikow Tesli i A123 w ten sam sposob, i tez zostali pozwani przez A123 :)) $250K premii + natychmiastowy 40% wzrost pensji dziala cuda gdy szuka sie kompetentnych inzynierow.

    2/ Intel oglosil ze 7nm to ostatni proces z wykorzystaniem krzemu, nizej beda juz zchodzic z pomoca ingaas, III-V grupa tablicy pierwiastkow

    http://www.tf.uni-kiel.de/.../backbone/r2_3_1.html

    obecnie tego typu material stosowany jest w koncowkach mocy, badz frontendach mikrofalowych, glowne zastosowania to wojsko(np radar). Standardem sa tranzystory pracujace z czestotliwoscia setek GHz z normalna temperatura pracy 250'C. Najwiekszymi problemami bedzie uzysk przy bardziej skomplikowanych konstrukcjach.


  6. RusH jakieś podstawy do pozwów muszą mieć (autor: Sławekpl | data: 24/02/15 | godz.: 21:44)
    skoro pracownik który miał dopracować proces i uruchomić produkcję odchodzi a reszta zespołu nie jest na tyle kompetentna to można zaliczyć opóźnienie, wręcz zastopowanie całego procesu
    firma podkupująca pracownika dzięki jego wiedzy mogła szybciej uruchomić własną produkcję, to też jest możliwe
    to by się nawet zgadzało, TSMC kilka razy przekładało uruchomienie produkcji i nadal są w powijakach
    raczej głąb pozwu nie pisał ;)
    myślałem że kluczowych pracowników zatrudnia się na kontraktach w których są kolosalne kary za przejście do konkurencji, tak aby się to nikomu nie opłaciło hmm...


  7. hmm (autor: Mario2k | data: 24/02/15 | godz.: 22:01)
    Optymistycznie rzecz ujmujac Galaxy S7 bedzie posiadalo chipset w 10nm :) 4GB Ramu Android 5.5 bedzie w koncu chodzil plynnie

  8. @06 (autor: Blazakov | data: 24/02/15 | godz.: 23:58)
    Żaden wyspecjalizowany w wąskiej dziedzinie pracownik który ma trochę oleju w głowie nie podpisze Ci niekorzystnego dla niego kontraktu z jakimiś astronomicznymi karami. O pracę i tak martwić się nie musi...

  9. Blazakov to nie jest tak jak piszesz, firma się zabezpiecza (autor: Sławekpl | data: 25/02/15 | godz.: 00:49)
    zresztą tak się zabezpieczają wszystkie firmy, jeśli nie, to mają kłopoty, co widać na powyższym przykładzie
    wysoko wyspecjalizowany pracownik może zostać na lodzie, lojalność też ma cenę
    jeśli firma zatrudni takiego to tylko po to aby podszkolił obecnych pracowników, czyli maksymalnie wykorzysta jego obecną wiedzę i go zwolni zanim sam odejdzie
    to korporacje, tam są inne prawa, jeszcze gość dostanie wilczy bilet i wiedza mu nie pomoże
    znam kilka takich przypadków, najlepszy w swoim fachu a nie może znaleźć pracy w zawodzie w dużej firmie, także wszystko możliwe ale do czasu


  10. RusH (autor: Teriusz | data: 25/02/15 | godz.: 02:06)
    Ja za to czytałem inaczej, że Intel zapowiedział, iż poniżej 10nm przechodzi na architekturę tranzystorów TFET. Zaś jego wersja tej technologi w postaci R-TFET (rezonant tunnel field-effect transistor) potrafią zejść do Vdd=0,27V, co jest ogromnym postępem. To raczej układy w 10nm mogą być ostatnimi na SiGe, a później TFET oparte o III-V grupę pierwiastków.

    Są plotki, że może zastosować jeszcze QWFET (quantum well field-effect transistor) i też oparte o III-V, ale te nie potrafią zejść tak nisko z napięciami.

    http://techon.nikkeibp.co.jp/...N/20131219/323700/


  11. ... (autor: Teriusz | data: 25/02/15 | godz.: 02:21)
    Dalej to lepsze są tylko gnrTFET czyli TFET oparte o grafenowe nanorurki, które to tranzystory potrafią zejść do Vdd=0,1V

    https://nanohub.org/...ondCMOS_11_benchmarking.pdf


    
D O D A J   K O M E N T A R Z
    

Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.