Samsung uruchomił produkcję pamięci DRAM w procesie 10nm drugiej generacji

M E N U

» Nowości

» Archiwum

» Recenzje / Testy

» Board

» Rejestracja

Szukaj @ TwojePC

Środa 20 grudnia 2017

Samsung uruchomił produkcję pamięci DRAM w procesie 10nm drugiej generacji Autor: Zbyszek \| źródło: TechPowerUp \| 14:57	(6)
Samsung poinformował o rozpoczęciu produkcji kości pamięci DRAM typu DDR4 w procesie litograficznym klasy 10-nanometrów drugiej generacji. Nowe kości oferuję pojemność 8Gb, identyczną jak dotychczasowe wytwarzane w procesie litograficznym klasy 10-nanometrów pierwszej generacji. Dzięki nowemu procesowi produkcyjnemu Samsung będzie mógł uzyskać z jednego wafla o 30 procent więcej kostek. Same kostki mają konsumować o 10 do 15 procent mniej energii elektrycznej, a także pracować z większą prędkością - do 3600 Mbps na pin, zamiast do 3200 Mbps jak w dotychczas wytwarzanych pamięciach. Ponadto Samsung chwali się zmniejszeniem pojemności pasożytniczej poprzez zwiększenie odstępu między obwodami, oraz zastosowaniem nowego systemu wykrywania danych pozwalającego dokładniej sprawdzić co jest przechowywane w poszczególnej komórce. Kości pamięci DIMM i SO-DIMM wykorzystujące nowe kostki DRAM produkcji Samsunga pojawią się w sprzedaży w przyszłym roku. Warto także dodać, że w nomenklaturze Samsunga proces klasy 10nm nie oznacza, że jest to faktycznie proces 10-nanometrowy. Samsung oznacza w ten sposób układy wytwarzane w procesach od 19-nanometrów do 10-nanometrów. Oznacza to, że zarówno w pierwszej jak i drugiej generacji procesu litograficznego klasy 10-nanometrów, faktyczne liczba nanometrów oznaczająca stopień miniaturyzacji i gęstość upakowania obwodów, to pomiędzy 19-nanometrów a 10-nanometrów.

K O M E N T A R Z E

Tylko pogratulować (autor: Mario1978 | data: 20/12/17 | godz.: 17:42)
bo bez tego byśmy dalej tkwili z DDR4 3000Mhz z opóźnieniami na poziomie CL20.
hmmmmm cienko z tymi pamięciami (autor: Mario2k | data: 20/12/17 | godz.: 19:15)
Posiadam 16GB DDR4 3000 CL15 czy jest jakaś szans na zmianę pamieci z odczuwalną poprawą wydajności ? Co by to musiała być za pamięć ?
DDR4 3800 CL15 ??
@Up (autor: loccothan | data: 21/12/17 | godz.: 08:12)
Ja teraz na ZEN mam 3082MHz Cl15 1T, zmiana z 2940 CL14 1T odczuwalna.
Kolejna duża zmiana ZEN to 3466 CL14 1T -> To już rakieta...
Wszystko dzięki Hyper Transport 5.0 aka Infinity Fabric :D

Teraz tylko czekam na jakiś dobry deal z 32GB 3466-3800 CL14/16
Poczytaj sobie wątki (autor: Mario1978 | data: 21/12/17 | godz.: 15:23)
dotyczące R7 1800x z pamięciami ustawionymi na CL12 dla 3200Mhz ale to wszystko na płycie Asus.
Ludziom działa już CL16 na 3600Mhz ale jak widać po komentarzach rzeczywiście pierwsza generacja RYZEN to taka beta a już pokazuje pazurki.
INTEL już dawno zna możliwości ZEN więc myślę ,że o tym nie wiemy ale także poświęca miliardy dolarów na szybsze wdrożenie swojej litografii 7nm.
@4 najpierw niech 10nm wprowadza... (autor: gantrithor | data: 21/12/17 | godz.: 15:53)
mam nadzieje ze z wiekszym uzyskiem spadna ceny pamieci...
@5.. (autor: muerte | data: 21/12/17 | godz.: 18:16)
Ceny pamięci szybko nie spadną, bo pomimo drożyzny sprzedają się bardzo dobrze. Stawiam raczej na kolejne wzrosty.
Równo dwa lata temu kupowałem pamięci w stanach, dałem niecałe 80$ za 16GB, przed chwilą sprawdzałem, ten sam zestaw kosztuje 170$.

D O D A J K O M E N T A R Z

Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.