Chiny: możliwa zmowa cenowa producentów pamięci NAND i DRAM
Autor: Zbyszek | źródło: TechPowerUp | 14:04
(3)
Jak informuje magazyn China Daily, dział chińskiej Narodowej Komisji ds. Rozwoju i Reform zajmujący się nadzorem nad cenami na rynku, zbada możliwość istnienia zmowy cenowej pomiędzy producentami pamięci NAND i pamięci DRAM. Wszystko przez bardzo wysokie wzrosty cen pamięci w ostatnim czasie. Ceny kości NAND Flash w bieżącym roku wzrosły o ponad 30 procent. Ich głównymi producentami są Samsung, Hynix, Micron i Toshiba. Jeszcze gorzej wygląda sytuacja na rynku pamięci DRAM, gdzie od 2. połowy 2016 roku ceny wzrosły ponad dwukrotnie.
Producenci tłumaczą to bardzo dużym popytem i wyczerpaniem swoich zdolności produkcyjnych, co prowadzi do braków pamięci na rynku, a co za tym idzie do wzrostu ich cen, na co wpływ ma tzw. niewidzialna ręka rynku.
Chińska Narodowa Komisja ds. Rozwoju i Reform podejrzewa możliwość zmowy pomiędzy producentami pamięci, w ramach której mieliby oni utrzymywać produkcję na niewystarczającym poziomie aby celowo dążyć do wzrostu cen. Dodatkowym argumentem komisji jest fakt, że w historii wielokrotnie zdarzały się już zmowy cenowe na rynku DRAM. Istnienie zmowy na rynku pamięci NAND może wynikać natomiast z tego, że produkcją tych pamięci zajmują się ci sami producenci, którzy wytwarzają pamięci DRAM.
Ponadto komisja uważa, że Chiny jako największy na świecie producent m.in Smartfonów i innej elektroniki użytkowej, powinny odgrywać większą rolę w produkcji pamięci NAND i DRAM, i zamierza aktywnie wspierać własnych wytwórców w staraniach dotyczących wejścia ze swoimi pamięciami na rynek opanowany aktualnie m.in. przez Samsunga, Hynixa, Microna i Toshibę.
K O M E N T A R Z E
SAMSUNG jako jeden z (autor: Mario1978 | data: 29/12/17 | godz.: 16:20) niewielu może czuć się nie zagrożony.
Wystarczy wprowadzenie pamięci DDR4 w nowej rewizji procesu produkcji oraz kolejnej generacji wielowarstwowych pamięci NAND.
Ciekawi Mnie jaką miałyby wydajność DDR4 ,które powstawały by w fabrykach INTELA w ich 10nm i czy ta najlepsza wersja jeżeli chodzi o ilość tranzystorów na mm2 mogłaby być tu zastosowana by dodatkowo DDR4 miał wysoką wydajność bo wtedy można byłoby porównywać 10nm INTELA versus 10nm SAMSUNGA w tej najnowszej rewizji w przypadku pamięci DDR4.
Może to i dobry pomysł... (autor: Kenjiro | data: 29/12/17 | godz.: 16:52) Aby Chiny wspomogły własne fabryki w rozwoju, bo skorzystamy na tym wszyscy.
@1. (autor: pwil2 | data: 29/12/17 | godz.: 17:04) Tego się pewnie nie dowiemy, bo Intel nie będzie chciał produkować na tak niskiej marży.
D O D A J K O M E N T A R Z
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.
