Samsung uruchomił masową produkcję pamięci eUFS 3.0 (embedded Universal Flash Storage) o pojemności 512GB. Wyprodukowany chip składa się z ośmiu modułów pamięci V-NAND o pojemności 512Gb każdy, zarządzanych przez wbudowany kontroler. Nowa generacja UFS dla urządzeń wbudowanych osiąga odpowiednio 63 i 68 tysięcy operacji I/O na sekundę co jest związane z imponującym odczytem i zapisem sekwencyjnym na poziomie 2100MB/s i 410MB/s. Mamy więc do czynienia z około dwukrotnym wzrostem prędkości względem UFS 2.0.
Samsung chce również w najbliższym czasie uruchomić produkcję 128GB wersji, a odmiana z 256GB i 1TB pamięci pojawi się w drugiej połowie roku.
