Intel opublikował swój najnowszy plan wydawniczy dotyczący dysków SSD bazujących na pamięciach 3D NAND Flash i 3D XPoint. W pierwszym przypadku już niebawem na rynek wkroczą nośniki z rodziny 665p wyposażone w nowy typ bramki logicznej, którą producent nazywa pływającą („3D floating”). SSD z rodziny Clifdale-R i Arbordale+ maja korzystać z pamięci typu QLC NAND Flash składających się z odpowiednio 96 warstw, oraz 144 warstw. Intel eksperymentuje również z 5-bitowymi komórkami pamięci (PLC od Penta-Level Cell) które są w stanie przechowywać aż 32 stany logiczne, czyli dwukrotnie więcej niż obecnie stosowane komórki 4-bitowe.
Ta technologia po dopracowaniu ma też trafić do drugiej generacji nośników Optane DC o kodowej nazwie Alder Stream oraz wyglądających jak pamięć RAM Barlow Pass.
K O M E N T A R Z E
bardzo dobrze... (autor: Qjanusz | data: 27/09/19 | godz.: 09:27) niech kombinują. Na rynku pamięci konkurencja liczna i wymagająca.
Optane DC z kolei może być niezłym kołem ratunkowym dla otrzymującego mocne ciosy Xeona.
Biorąc pod uwagę słabą trwałość QLC (autor: rookie | data: 27/09/19 | godz.: 09:41) Aż strach się bać o dane w PLC...Nawet zainstalowanej gry szkoda, bo 2 dni z życia wyjęte i przed zakończeniem error zapisu save'a :D
rookie (autor: Mario2k | data: 27/09/19 | godz.: 10:21) Przecież nikt na świecie nie wypuści dysku który przynajmniej nie będzie miał 500 razy zapisu swojej pojemności a to w większości przypadków wystarczy na kilka lat pracy.
@up (autor: Qjanusz | data: 27/09/19 | godz.: 11:54) no dokładnie
@3. (autor: pwil2 | data: 27/09/19 | godz.: 12:54) Problem będzie jak po powrocie z wakacji będą błędy odczytu. U mnie czasem (kolejny) laptop/dysk potrafi leżeć odłączony od prądu tygodniami.
@up (autor: Saturn64 | data: 27/09/19 | godz.: 15:12) Wszystko zależy od zapełnienia dysku danymi. Jeśli mamy mało wolnej przestrzeni to plik wymiany działa ciągle w tych samych komórkach dysku i dysk szybko pada.
@06 (autor: Master/Pentium | data: 27/09/19 | godz.: 19:47) Zapis na SSD tak nie działa. Słowo klucz - wear leveling. Rzecz jasna mało wolnej przestrzeni zwiększa Write Amplification ale to nie ma nic wspólnego z lokalizacją logiczną (w sensie LBA) zapisów.
Czekam na komórki 16bit :D (autor: Master/Pentium | data: 27/09/19 | godz.: 19:48) Sam jestem ciekaw jak zamierzają rozwiązać problemy retencji i żywotności w 5bit i wyżej.
@Qjanusz (autor: Conan Barbarian | data: 29/09/19 | godz.: 20:09) Nie pierdziel jak się nie znasz.
@8. (autor: Mariosti | data: 30/09/19 | godz.: 15:05) Obawiam się że po prostu nie rozwiążą.
Ładunek przechowywany w komórce ma malutki spadek ładunku w czasie na skutek tego że jest to fizyczny obwód i zawsze będzie miał parametry pasożytnicze.
Coraz mniejsze wymiary tych układów powodują że te pasożytnicze przepływy są coraz mniejsze, ale niestety również ładunek przechowywany w mniejszych komórkach jest mniejszy i do tej pory ten spadek pojemności był relatywnie większy niż spadek pasożytniczych przepływów w układach.
Także zasadniczo możliwości obejścia tego problemu są, głównie pomogłaby nadwymiarowa pojemność elektryczna komórki, ale to też zwiększy jej powierzchnię, a to z kolei łatwo neguje ten nędzny 20% zysk pojemności z dodatkowego bita.
Mam nadzieję że na tym PLC poprzestaną jak zaczną takie dyski masowo padać.
W sensie dopóki będą pracować w uruchomionym komputerze to pewnie będzie przyzwoicie, ale jak będą odłączone od zasilania to niestety ale błędy odczytu będą normą i będzie następował bit flipping.
W pewnym stopniu pomoże na to ECC, zapewne 8/10b jako minimum, ale ciekawe ile czasu wystarczy aby gwarantować utratę danych mimo tego, czy to będzie miesiąc, 3, rok?
D O D A J K O M E N T A R Z
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.
