Elpida Memory Inc. opracowała drugą generację swoich niskonapięciowych pamięci DRAM. Układy typu DDR o pojemności 256Mb będą przeznaczone dla telefonów komórkowych, PDA, aparatów cyfrowych i innych urządzeń wymagających energooszczędnych rozwiązań. Pamięci są wytwarzane w technologii 0.11 mikrona, zapewniając przepustowość na poziomie 400MB/s. Układy wydzielają także o 90% mniej ciepła niż zwykłe pamięci DDR. Nad pamięciami o małym poborze prądu pracują także Samsung, Micron, Infineon czy Nanya.
K O M E N T A R Z E
ciekawe (autor: flako | data: 26/05/03 | godz.: 15:16) kiedy wejdą akceleratory 3D dla komórek :)
nowy uklad (autor: Meteor | data: 26/05/03 | godz.: 20:22) tworcow Kyro ma byc podoboz akceleratorem 3d w pelnym tego slowa znaczeniu. Jest przeznaczony dla komorek kolejnej generacji...
ciekawe kiedy w komórkach będą wiatraczki ... (autor: Tiamat | data: 28/05/03 | godz.: 04:59) :/
+TmT-
D O D A J K O M E N T A R Z
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.
Elpida Memory Inc. opracowała drugą generację swoich niskonapięciowych pamięci DRAM. Układy typu DDR o pojemności 256Mb będą przeznaczone dla telefonów komórkowych, PDA, aparatów cyfrowych i innych urządzeń wymagających energooszczędnych rozwiązań. Pamięci są wytwarzane w technologii 0.11 mikrona, zapewniając przepustowość na poziomie 400MB/s. Układy wydzielają także o 90% mniej ciepła niż zwykłe pamięci DDR. Nad pamięciami o małym poborze prądu pracują także Samsung, Micron, Infineon czy Nanya.