Główny koreański oddział Samsung Electronics oficjalnie potwierdził wejście na rynek nowych modułów pamięci typu DDR466 SDRAM (PC3700) i przedstawił rozwiązanie oparte na tym układzie o pojemności 512 MB z timingiem CL=3 w cenie $150. W tym tygodniu powinny także ukazać się moduły o wielkości 256MB.
Oryginalna specyfikacja układu przedstawia się następująco: układ 64Mx64, 4B banks / SSTL2 interface, czas odświeżania 8K/64ms, 16 x 32Mx8 chips, Vdd=2.6V ± 0.1V, Vddq=2.6V ± 0.1V voltage, zegar 233MHz @ CL=3 3-4-4 CL-tRCD-tRP.
K O M E N T A R Z E
A gdzie sens? (autor: Macius | data: 30/12/03 | godz.: 20:49) W DDRach (o czym malo kto pamieta) CAS liczy sie podwojnie. Stad idiotyczne wartosci CAS 2,5 itd. Ale oznacza to CAS 6 dla normalnej pamieci! Czyli 6 cykli idzie sobie w diably... Czy to ma jakikolwiek sens? Przeciez im mniejsze latencje tym wyzsza wydajnosc. Czestotliwosc na niewiele tu sie zdaje. Po co komu "wybrakowany" produkt? Czy moze lepiej: przemetkowany. Bo faktycznie to sa moduly DDR 400, moze 433 tylko wytrzymujace (z trudem - patrz CAS latency) prace przy 466...
Jaki sens? chodzi o reklamę, (autor: jerry | data: 1/01/04 | godz.: 10:11) przecież DDR466 tak ładnie brzmi..
.:. (autor: Shneider | data: 2/01/04 | godz.: 01:06) Sens jest marketingowy...
Jak za SD CL(2lub3) wiekrzosci nic to nie mowi. A roznica jest kolosalna.
Z DDRkami juz jest gorzej, tranzystorki nie wytrzymuja, czasem po przejsciu na CAS 2.5 pamieci dzialaja wolniej niz na 3. Gdyz dane sa gubione i ponownie powtarzany jest cykl.
Pieprzyc to. Dzis pamiec ma byc stabilna a nie szybka... Ale kogo to.. :)
D O D A J K O M E N T A R Z
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.
