Elpida Memory przedstawiła dwie technologie, które mają wpływ na wydajność pamięci DRAM. Pierwsza technika łączy w jednym układzie obsługę standardów DDR i DDR-2. Chipy o pojemności 1Gb mogą pracować z zegarami 400MHz lub 800MHz. Według firmy technologia, która opiera się na buforach wyjściowych i wejściowych obwodach kluczujących, jest już wprowadzona do produkcji. Druga z technik opracowanych przez Elpidę ma znaleźć zastosowanie w pamięciach podręcznych, głównie urządzeń sieciowych. Opracowana wspólnie z Hitachi metoda zakłada wykorzystanie matryc pamięci, które przechowują jeden bit w dwóch komórkach (twin-cell), oraz szybkiej metody wzmacniania nazwanej "three-stage sensing". Pozwala ona na bardzo szybki dostęp do pamięci, porównywalny z pamięciami SRAM. Elpida stworzyła prototyp szybkich pamięci o pojemności 144Mb. Układy wykonane w procesie 110nm uzyskują czasy dostępu poniżej 6ns. Przedstawiciele firmy zakładają, że po wprowadzeniu udoskonaleń uda się osiągnąć czas dostępu na poziomie 4.8ns. Dzięki niezależnym portom I/O szybkie pamięci uzyskują transfer na poziomie 6GB/s.
K O M E N T A R Z E
Jeszcze nikt nie napisał komentarza.
D O D A J K O M E N T A R Z
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.
