Intelowi udało się pokonać obecną granice 90 nm i stworzyć technologie zdolną wytwarzać tranzystory o wymiarze 65 nm. W zakładzie D1D w Hillsboro (USA) zostały wyprodukowane pierwsze w pełni funkcjonalne, 70-megabitowe układy pamięci SRAM (static random access memory) zawierające ponad pół miliarda tranzystorów. Było to możliwe dzięki zastosowaniu najnowocześniejszego procesu technologicznego 65nm.
Nowy proces technologiczny pozwala na zwiększenie liczby tranzystorów umieszczonych w jednym układzie, umożliwiając Intelowi dostarczenie w przyszłości wielordzeniwych procesorów oraz opracowanie innowacyjnych funkcji wykorzystywanych w produktach nowej generacji. Technologia 65nm zapewnia również unikalne rozwiązania w zakresie wydajności i oszczędności energii.
Bramki tranzystorów zastosowanych w nowej technologii 65nm (nanometr to miliardowa część metra) mają rozmiar 35nm, tzn. są około 30% mniejsze niż ich odpowiedniki w technologii 90nm. Oznacza to, iż w średnicy czerwonej krwinki ludzkiej krwi można zmieścić około 100 bramek.
"Intel ciągle podejmuje nowe wyzwania poprzez innowacje wykorzystujące nowe materiały, procesy i struktury" - powiedział Sunlin Chou, wiceprezes i dyrektor generalny Technology / Manufacturing Group Intela. "Opracowany przez Intela proces technologiczny 65nm zapewnia wiodący w branży poziom upakowania, wydajności i redukcji zużycia energii. Dzięki temu możliwe będzie stworzenie jeszcze bardziej wydajnych i udoskonalonych układów. Jesteśmy na dobrej drodze do wdrożenia nowego procesu technologicznego w 2005 roku, co pozwoli na czerpanie dalszych korzyści z obowiązywania Prawa Moore'a."
W listopadzie 2003 roku Intel wyprodukował pierwsze 4-megabitowe układy pamięci SRAM w technologii 65nm. Nowe, w pełni funkcjonalne układy 70-megabitowe, o których wyprodukowaniu poinformował Intel, mają powierzchnię 110 mm2. Małe komórki SRAM umożliwiają integrację większej pamięci podręcznej w procesorach, co z kolei zwiększa wydajność układów. Każda komórka pamięci SRAM posiada 6 tranzystorów upakowanych na powierzchni 0,57 µm2. Około 10 milionów tych tranzystorów wypełniłoby powierzchnię zaledwie 1 milimetra kwadratowego.
Zgodnie z Prawem Moore'a liczba tranzystorów w jednym układzie jest podwajana co dwa lata, dzięki czemu możliwy jest wzrost wydajności i funkcjonalności oraz obniżenie kosztów produkcji na jeden tranzystor. Dalsze zmniejszanie rozmiarów tranzystorów wiąże się jednak ze zwiększonym zużyciem energii i wzrostem temperatury układów. Odpowiedzią Intela na te wyzwania są zintegrowane w procesie technologicznym 65nm rozwiązania zapewniające oszczędność energii.
Innowacyjna technologia rozciągniętego krzemu, włączona do procesu technologicznego 90nm, została jeszcze ulepszona w technologii 65nm. Druga generacja rozciągniętego krzemu Intela zapewnia tranzystorom 10-15-procentowy wzrost wydajności bez dodatkowego upływu prądu. Co więcej - zastosowanie nowych tranzystorów powoduje czterokrotne zmniejszenie upływu w porównaniu z tranzystorami 90nm, przy zachowaniu tej samej wydajności. Tranzystory w procesie technologicznym 65nm są więc znacznie wydajniejsze, a jednocześnie nie grzeją się bardziej niż tranzystory 90nm (upływ prądu generuje wzrost temperatury).
Zredukowana pojemność bramki obniża aktywną energię układu. Nowy proces integruje również 8 miedzianych warstw połączeniowych oraz wykorzystuje materiał dielektryczny "low-k", który zapewnia większą prędkość sygnału wewnątrz układu i redukcję zużycia prądu.
Układy pamięci SRAM 65nm zawierają również tzw. "śpiące tranzystory", które odcinają dopływ prądu do dużych bloków SRAM w czasie, gdy te nie są używane. Takie rozwiązanie eliminuje znaczące źródło konsumpcji energii całego układu. Rozwiązanie to będzie szczególnie przydatne w urządzeniach zasilanych bateriami, takich jak notebooki.
K O M E N T A R Z E
abc (autor: Dzuby | data: 30/08/04 | godz.: 19:50) ciekawi mnie ile lat jeszcze pociagniemy na krzemie bez zlamania prawa moora
ano zobaczymy (autor: bartekm | data: 30/08/04 | godz.: 20:04) ciekawe czy proces 65nm bedzie szczesliwszy dla I****'a, przy 90nm P4 cos im sie grzalo strasznie
kocham marketing (autor: bartekm | data: 30/08/04 | godz.: 20:07) czy ten tekst nie jest uroczy - "Intel ciągle podejmuje nowe wyzwania poprzez innowacje wykorzystujące nowe materiały, procesy i struktury"
bartekm (autor: RusH | data: 30/08/04 | godz.: 21:48) nie grzalo, a mieli przecieki elektronow, i ten problem w 65nm bedzie JESZCZE wiekszy :) , zrobic RAM to nie problem, bo mozna go potem ladnie skorygowac (przepalanie mikrobezpiecznikow wylacza uszkodzone komorki), nie da sie tak jednak postapic z CPU :)
D O D A J K O M E N T A R Z
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.
