Pracownicy japońskiego Tohoku University opracowali 128Mb (16MB) wersję pamięci nieulotnej SST-MRAM (spin-transfer torque magnetoresistive random access memory). Do tej pory wytwarzane nośniki mogły mieć bardzo małą pojemność - od 4Mb do 40Mb. Dzięki zwiększeniu gęstości będzie można tworzyć chipy o znacznie większej pojemności. Pamięć MRAM wykorzystującej tunelowy efekt magnetorezystancyjny dzięki czemu zapewnia bardzo niski czas dostępu do danych - na poziomie 14ns przy napięciu rzędu 1.2V. Co ważne STT-MRAM jest nie tylko bardzo szybka, ale i znacznie tańsza od 3D XPoint.
Koszt jej wytworzenia ma być zbliżony do kosztu produkcji pamięci Flash.
K O M E N T A R Z E
no jesli to weszlo by do masowki i faktycznie bylo by w cenie flash (autor: pawel1207 | data: 28/12/18 | godz.: 19:42) zo zegnaj flash.
Każda firma,która chce coś znaczyć w tym temacie (autor: Bjaku | data: 29/12/18 | godz.: 13:15) już w przyszłym roku pokaże gotowe produkty.Global Foundries , Samsung są już gotowi , Intel i właśnie Natec Japoński , który ma się na tle konkurencji wyróżniać sporo większą pojemnością bo 16-krotnie dopracowuje wersje najbardziej pojemne.Tylko jak dorzucimy do tego układanie w stosy to będzie z tego sporo większa pojemność.
"Pojemność pamięć ... " (autor: Duke Nukem PL | data: 1/01/19 | godz.: 00:36) ?
Poza tym lepszego 2019 roku wszystkim.
Tak, w modelu "współczesnej giełdowej spekulacyjnej ekonomii" polegającej na usiłowaniu dymania jednych przez drugich te życzenia są jak pięść do oka, ale co tam?! Igrzyska niech trwają! ;)
D O D A J K O M E N T A R Z
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.
