Micron planuje pamięci OLC NAND Flash w 2019 roku

M E N U

» Nowości

» Archiwum

» Recenzje / Testy

» Board

» Rejestracja

Szukaj @ TwojePC

Piątek 8 lutego 2019

Micron planuje pamięci OLC NAND Flash w 2019 roku Autor: Zbyszek \| źródło: WccFTech \| 18:16	(10)
Pamięci NAND Flash typu QLC (Quad Level Cell), czyli przechowujące 4 bity danych w jednej komórce, pojawiły się stosunkowo niedawno, i miały przynieść rewolucję na rynku SSD, pozwalając na budowę pojemnych nośników o stosunkowo niskiej cenie. Tak się jednak nie stało, ponieważ producenci przez dłuższy czas mieli problemy z osiągnięciem choćby 50 procentowego uzysku przy produkcji tych pamięci. O problemach tych najzwyczajniej zapomina firma Micron - według najnowszych informacji producent ten planuje wprowadzić na rynek pamięci Octa-Level Cell (OLC), czyli przechowujące 8-bitów danych w jednej komórce. W porównaniu do pamięci QLC, ma to oznaczać 100 procentowy wzrost gęstości upakowania danych. Informacje o pamięciach pozostają aktualnie owiane tajemnicą, a według przecieków ich prezentacja może nastąpić jeszcze w 1. połowie tego roku. Aktualnie nie wiadomo, czy będzie to nieudany eksperyment i kumulacja problemów, jakie pojawiły się już przy wdrażaniu kości QLC, czy też Micron znalazł jakieś zupełnie nowe rozwiązanie techniczne, które eliminuje problemy z trwałością komórek pamięci oraz niskim uzyskiem przy produkcji kości NAND zawierających tak wiele bitów danych w jednej komórce. Aby oddać skalę problemu wystarczy dodać, że do przechowania 8 bitów danych, komórka pamięci będzie musiała potrafić utrzymać 256 różnych stanów napięcia. Dla porównania w przypadku techniki, QLC (Quad-Level Cell) do zapisu 4 bitów potrzeba możliwości pracy komórki pamięci w 16 różnych stanach napięcia, a w technice TLC (Three-Level Cell) do zapisu 3 bitów wystarczy 8 różnych stanów napięcia. Przeskok z 16 do 256 różnych stanów napięcia jest więc dość znaczący - co więcej poszczególne stany muszą być możliwe do odróżnienia od siebie, co będzie znacznie trudniejsze dla kontrolerów obsługujący kości Octa-Level Cell.

K O M E N T A R Z E

Chyba korekta (autor: Adam.M | data: 8/02/19 | godz.: 19:40)
Poprawcie mnie ale 8bit to raczej 256 stanów
@1. (autor: Kenjiro | data: 8/02/19 | godz.: 20:18)
Masz całkowitą słuszność, komuś pomyliło się 2^8 z 8^2.

Swoją drogą, to będą chyba pierwsze pamięci z kompresją stratną ;-).
O rany! (autor: Atak_Snajpera | data: 9/02/19 | godz.: 13:34)
QLC to już jest mega paździerz ,a ci od razu na octa lecą? Ile to będzie miało cykli P/E? 10?!
tą firmę trzeba bojkotować (autor: celorum | data: 9/02/19 | godz.: 13:40)
niech bankrutuje skoro tak traktuje klientów
hurra! (autor: Kriomag | data: 9/02/19 | godz.: 14:57)
1TB za 100zł - jednokrotnego zapisu ;)
powoli wracamy do czasów (autor: Duke Nukem PL | data: 10/02/19 | godz.: 09:59)
pamięci jednokrotnego zapisu :)))
czy któryś z was cebulaczki (autor: Mario2k | data: 10/02/19 | godz.: 10:54)
Uważa się za mądrzejszego od inżynierów z Microna ? jeśli tak to poproszę o jakieś info o wykształceniu .
Do 7 (autor: Atak_Snajpera | data: 10/02/19 | godz.: 14:55)
Nie trzeba mieć IQ powyżej 100 aby zaułważyć że z każdym dokoptowanym bitem w komórce P/E spada 3 krotnie (zakładając ten sam proces technologiczny).

40nm MLC -> 6000 P/E
20nm MLC -> 3000 P/E
40nm TLC -> 2000 P/E
20nm TLC -> 1000 P/E

QLC musi być produkowane w 60nm aby mieć 1000 P/E bo w 20nm miałoby tylko 300 P/E ! Cudów nie ma cebulaczku.

Już pomijam prędkość zapisu do QLC na poziomie <100 MiB/s
@up (autor: ekspert_IT | data: 10/02/19 | godz.: 20:07)
Z ciekawości patrzyłem na recenzję Intela 660p, nie zachwyca, ale ma zapis 500MB/s. TYlko że ten model ma wyraźnie słabszy zapais od innych NVME...

https://img.purch.com/...pbmFsL2ltYWdlMDAxLnBuZw==
@up (autor: Atak_Snajpera | data: 11/02/19 | godz.: 13:24)
Pokaż mi prędkosć zapisu do QLC ,a nie keszu SLC.

D O D A J K O M E N T A R Z

Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.