Firma Western Digital zaprezentowała nowy moduł pamięci nieulotnej przeznaczonej do montażu w TOPowych urządzeniach o wysokiej wydajności. Model iNAND MC EU511 składa się z 96-warstwowych pamięci 3D TLC NAND flash oraz wbudowanego kontrolera z obsługą interfejsu UFS 3.0 HS Gear 4 z dwoma liniami komunikacyjnymi o przepustowości 11,6GT/s na linię – do 2900MB/s. To w połączeniu z technologią SmartSLC Gen 6 pozwoliło na sekwencyjny zapis danych z prędkością do 750MB/s. Moduły iNAND MC EU511 występują w czterech wariantach o pojemności 64GB, 128GB, 256GB lub 512GB.
Opisywany chip charakteryzuje się wymiarami 11.5 × 13 × 1 mm, a jego interfejs może przyjmować prąd o napięciu 1,2V (VCCQ) lub 1,8V (VCCQ2). Producent zachwala, że produkowane przez niego pamięci dzięki wysokiej wydajności są przystosowane do pracy z nadchodzącymi modemami 5G.
