Samsung poinformował o rozpoczęciu produkcji swoich pierwszych komercyjnie dostępnych modułów pamięci typu eMRAM (embedded Magnetoresistive Random Access Memory). Nowe moduły pamięci mają pojemność 1Gb, są wytwarzane w procesie litograficznym 28nm FD-SOI i przeznaczone do stosowania w systemach wbudowanych. Pamięci MRAM w przyszłości mogą stać się podstawowym elementem budującym dyski SSD, zastępując dotychczasowe pamięci Flash. Nowe pamięci do pracy wykorzystują tunelowy efekt magnetorezystancyjny - dane zapisywane są poprzez zmianę rezystancji, a odczyt zapisanych informacji możliwy jest dzięki jej pomiarowi.
Zaletą pamięci MRAM jest wysoka wydajność i trwałość, a wadą obecnie wysokie zużycie energii i niska pojemność, oraz (prawdopodobnie) wysoka cena.
Samsung informuje, że jego pamięci eMRAM nie wymagają cyklu kasowania przed zapisaniem danych, z tego powodu prędkość ich zapisu jest około tysiąc razy wyższa niż w oferowanych do tej pory pamięciach eFlash. Pierwsze kości pamięci eMRAM są już dostępne na zamówienie i będą dostarczane w tym roku. Producent zamierza nadal inwestować w rozwój technologii MRAM aby systematycznie poprawiać ich parametry techniczne.
