Twoje PC  
Zarejestruj się na Twoje PC
TwojePC.pl | PC | Komputery, nowe technologie, recenzje, testy
M E N U
  0
 » Nowości
0
 » Archiwum
0
 » Recenzje / Testy
0
 » Board
0
 » Rejestracja
0
0
 
Szukaj @ TwojePC
 

w Newsach i na Boardzie
 
TwojePC.pl © 2001 - 2019
Wtorek 16 kwietnia 2019 
    

TSMC zaoferuje nieplanowany wcześniej proces litograficzny 6nm


Autor: Zbyszek | źródło: TSMC | 15:31
(6)
Cyfra 6 to nie pomyłka. Firma TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) poinformowała dziś, że zamierza udostępnić swoim klientom w przyszłym roku nowy, nieplanowany dotychczas proces litograficzny. Nowy proces, nazwany 6nm, zostanie udostępniony w 1. kwartale przyszłego roku, i względem dotychczasowego 7nm procesu litograficznego (N7, DUV) ma zaoferować 18 procent zwiększoną gęstość tranzystorów. Do jego opracowania producent wykorzysta doświadzczenia zebrane podczas prac związanych z opracowaniem procesu 7nm+ (z EUV).

Proces 6nm ma być tańszą alternatywą dla procesu litograficznego 7nm EUV (N7+), przy zapewnieniu lepszych cech aniżeli litografia 7nm pierwszej generacji (z DUV, Deep Ultraviolet). Jego dodatkową zaletą ma być latwość przeniesienia produkcji chipów z procesu 7nm (DUV) do 6nm, oraz możłiwość wykorzystania tej samej inforastruktury do produkcji chipów.

Choć zw informacji podanej przez TSMC nie podano bezpośrednio, że proces 6nm będzie nadal wykorzystywał do naświetlania masek fototechnikę DUV (Deep Ultraviolet), to jednak wynika to z pozostałych podanych inforamcji.

Jeśli tak się stanie proces 6nm będzie więc wersją pośrednią pomiędzy dotychczasową litografią 7nm z DUV, a litografią 7nm+ wykorzystującą do naświetlania masek fototechnikę EUV (Extreme Ultraviolet). Niestety, nazwa 6nm jest w tym przypadku myląca i została wybrana raczej dość niefortunnie.

 

    
K O M E N T A R Z E
    

  1. Samsung jakoś ostatnimi czasy przycichł i (autor: Mario1978 | data: 16/04/19 | godz.: 21:50)
    nie obnosi się ze swoim postępem ale jednak dla wścibskich widać ściany mają uszy.
    http://www.instantflashnews.com/...le-in-2019-etc/


  2. 6nm (autor: Conan Barbarian | data: 17/04/19 | godz.: 00:27)
    TSMC: 7nm, 6nm, 7nm+, ...
    Samsung: 7nm, 5nm, ...
    Intel: 14nm++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++


  3. Intel (autor: Zbyszek.J | data: 17/04/19 | godz.: 02:02)
    7nm ma być szybko po 10nm, ponieważ jest opracowywany równolegle z 10nm. Opóźnienia z 10nm mają tylko nieznacznie wpłynąć na harmonogram debiutu 7nm Intela.

  4. @3. (autor: Kenjiro | data: 17/04/19 | godz.: 08:16)
    Skąd informacje, że z 7nm nie będą mieli problemów takich lub większych niż przy 10nm?

  5. @Kenjiro (autor: PCCPU | data: 17/04/19 | godz.: 09:24)
    Intel 10nm chciał wicisnąć na zmodernizowanych przez siebie maszynach do procesu 14nm, natomiast 7nm jest na maszynach nowej generacji tak jak w TSMC.

  6. 10nm intela to poprostu 14nm z 4 krotnym naswietlaniem w l193nm... (autor: gantrithor | data: 17/04/19 | godz.: 21:12)
    i aby uzyskac 30nm szerokosci miedzy finami tranzystora nie moga juz dalej uzywac wiazki swiatla l193nm innymi slowy intel prawdopodobnie nie bedzie mial 10nm.
    Intel przeskakuje odrazu do 7nm z wykorzystaniem euv 13.5nm wiazki swiatla i nowych skanerow od asml dla uzyskania szerokosci 38nm/36nm , nastepnym krokiem bedzie uzycie podwojnego naswietlania do uzyskania 5nm czyli wlasnie wyzej wymienionej szerokosci finow 30nm i nizej , a dla 3nm litografi szerokosc finow to 28nm.

    Samo nazewnictwo tych procesow litograficznych jest strasznie pokrecone i tak naprawde nie wiadomo z kad firmy je biora i na jakich zasadach obliczaja.

    Na dodatek dochodzi jeszcze odpornosc materialu na swiatlo wiec trzeba uzywac wiecej lub mniej energi , przykladowo wedlug asml ich skaner EUV z 250W zrodlem swiatla potrafi wyprodukowac 104-105 gotowych wafli krzemowych na godzine.

    Przykladowo 30mJ/cm² to bardzo niska ilosc swiatla i daje sie slaby uzysk ale najwiecej wafli na godzine ale chcac wykonac uklad z gesto upakowanymi tranzystorami trzeba uzyc 80mJ/cm² co jest duza dawka swiatla dzieki czemu uzyskuje sie malo defektow ale szybkosc produkcji spada o ponad polowe , dlaczego tak sie dzieje? producenci stosuja oslony na maske tak aby zabrudzenia nie osiadaly na masce tylko pozostawaly na oslonie a stosowane oslony maja przepuszczalnosc swiatla okolo 82-83% co powoduje dalsze zmniejszenie dawki swiatla i w konsekwencji spowolnienie produkcji , wielu klientow wymaga co najmniej 90% przepuszczalnosci swiatla a inni wogole rezygnuja z oslon co zmniejsza koszt ale blokuje mozliwosc produkcji bardziej zlozonych ukladow.

    Kiedy do 7nm wystarczy pojedyncze naswietlanie uzywajac EUV 13.5nm to dla litografi 193nm trzeba wykonac od 6 do 8 naswietlen i przy kazdym naswietlaniu istnieje ryzyko losowych uszkodzen krzemu.

    tl:dr dla 7nm mozna uzyc 30-40mJ/cm² podczas pojedynczego naswietlania a dla ciasniej upakowanych struktur mozna uzyc 80mJ/cm² uzyskujac 6nm...


    
D O D A J   K O M E N T A R Z
    

Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.