Samsung przedstawia proces litograficzny 3nm MBCFET
Autor: Zbyszek | źródło: Samsung | 00:36
(8)
Samsung w ostatnim czasie, obok TSMC, wyrasta na jednego z liderów w pracach związanych z udoskonalaniem litografii krzemowej oraz szybkości opracowywania kolejnych procesów litograficznych. Firma już w przyszłym roku zamierza rozpocząć masową produkcję chipów w litografii 5nm FinFET, a dziś pochwaliła się pierwszymi informacjami na temat kolejnego z opracowywanych procesów, czyli 3nm. Nowy proces początkowo miał wykorzystywać rozwiązanie GAAFET (od Gate-All-Around), czyli dalsze rozwinięcie techniki FinFET opracowane we współpracy z IBM. Teraz Samsung zdradził, że opracował jeszcze inną koncepcję budowy 3nm tranzystorów.
Jest to rozwiązanie MBCFET (Multi-Bridge-Channel-FET), które w porównaniu do GAAFET na zwiększyć szybkość przełączania się tranzystorów, poprawić ich przewodność oraz umożliwić niezakłóconą pracę z niższymi napięciami zasilającymi.
Samsung przewiduje, że w porównaniu do 7nm FinFET, nowy proces zapewni 30 do 45 procentową redukcję powierzchni zajmowanej przez układ scalony - w przypadku wyprodukowania takiego samego chipu jak w procesie 7nm FinFET. Natomiast wydajność tranzystorów 3nm MBCFET ma być o około 40 procent wyższa w porównaniu do tranzystorów 7nm FinFET.
wiec hcyba nic nowego ale dobrze ze slychac ze cos sie dzieje.
Jeszcze napisz , że technika produkcji (autor: Mario1978 | data: 16/05/19 | godz.: 17:36) MBCFET jest także IBM ową.To co Samsung osiąga teraz to zasługa wielkich umysłów z ogromną wyobraźnią.Co innego jest pokazać sprawny układ przy użyciu nowej techniki produkcji z elementami starych rozwiązań i może to być nie opłacalne.IBM żeby pokazać to co im się udało musiał skorzystać z usług Samsunga i pewnie myślał , że GF coś z tego wyciągnie ale jak widać nie dali rady.Ten filmik wyjaśnia kwestię tranzystorów 3D.Intel będzie chciał swoją technologią układać w stosy tranzystory czyli różne układy a Samsung za pomocą tej technologii będzie mógł układać w stosy bez potrzeby używania między jednym a drugim Interposera.Prawo Mora zostanie prześcignidęte bo będą bez problemu produkować układy od grubości minimalnej do docelowej nie określonej na życzenie przyszłych zamówień.Mało tego , będą mogli sterować szerokością tego arkusza aż do wymiaru nanorurek.Ten pokaz jaki urządził IBM z 5nm GAA był z informacją o grubości płetwy na poziomie 1nm jeżeli chodzi o NanoSheet.Czyli już w przyszłym roku Samsung zaktualizuje swoje plany dotyczące produkcji chipów i nie zdziwi mnie pojawienie się oznaczeń 2nm i 1nm lub nawet poniżej 1000pm bo oni odkryć zupełnie coś nowego przez chociażby przypadek z takimi umysłami jakie u nich pracują.Najgorsze , że TSMC ogłosiło swoje Wafer on Wafer a Intel pod nazwą Foveros , które są podobne do siebie ale podnoszą koszty przy układaniu w stosy.To może oznaczać , że nie mają odpowiedzi na MBCFET lub w ich wykonaniu jest to nie opłacalne.Teraz nie ma się co dziwić dlaczego Samsung zgarniał urządzenia EUV już w 2016 i nawet jak była to pierwsza generacja to oni w swoim domu te wszystkie maszyny jeszcze ulepszyli.
@Mario (autor: Bitboy_ | data: 16/05/19 | godz.: 19:33) Dużo prawdy jest w tym co piszesz. Moim zdaniem mylisz się tylko co do jednego. To już nie jest zasługa tylko "geniuszy z Samsunga".
W każdym razie nie całkowicie. Bo w grę wchodzi od jakiegoś czasu AI. Algorytmy stworzone tylko tylko po to aby ulepszać same siebie.
Takie były założenia planów litograficznych (autor: Mario1978 | data: 16/05/19 | godz.: 23:12) dla TSMC , GF i Samsung bo u Intela to wygląda inaczej.Oni mają wysoką gęstość upakowania tranzystorów na mm2 ale teoretyczną i jeżeli ich podstawowe 14nm miało mieć 42MTr/mm2 a w rzeczywistości dla układów HP miało 18-24MTr/mm2 to 10nm przy ponad 100MTr/mm2 będzie miało dla układów HP na poziomie 45-60MTr/mm2.
To jest rozpiska z przed kilku lat więc jeszcze dodamy tutaj z dwa nowe procesy produkcji pewnie w przyszłym roku: https://uploads.disquscdn.com/...a94913dadd383.png
3-- (autor: Mario1978 | data: 16/05/19 | godz.: 23:22) Nie brałem AI pod uwagę ponieważ wiem , że w tym czasach wszelkie odkrycia nie są tylko i wyłącznie zasługą inżynierów z prawdziwą technologiczną wyobraźnią.To wszystko już od jakiegoś czasu jest analizowane przez wyspecjalizowane układy , które poprawiają to co te wielkie umysły ominęły.Tylko dziwię się , że Intel z takimi funduszami ma problem z pomocą AI to wszystko ogarnąć.
Dlatego zgadzam się z twoją wypowiedzią bo mogłem tam wpleść jeszcze samo AI gdyż to coś myślę , że jak jest odpowiednio nakierowane już dawno przekroczyło umysły swoich konstruktorów w konkretnych dziedzinach.
Czym więcej mocy obliczeniowej w superkomputerach tym bardziej jestem pewny , że te maszyny są nawet mocniejsze i nieujawnione w takich firmach jak Intel czy Samsung bo nigdy nie ujawnia się czegoś co jest najnowsze gdy nie korzysta się z tego we własnym podwórku.
hmmm (autor: mlc | data: 17/05/19 | godz.: 10:16) z tego co rozumiem, to Intel pracuje nad rozwojem układów sam, natomiast TSMC/Samsung korzystają także z osiągnięć innych (szczególnie IBM). W takim przypadku Intel musis sobie radzić sam ze swoimi problemami... Wydaje mi się też, że Intel planował podbicie rynku mobilnych CPU wojując z ARM, ale nic z tego nie wyszło, do tego wyrósł mu konkurent na własnym rynku CPU. 10nm Intela prawdopodobnie było targetowane właśnie do walki z ARM, gdzie CPU nie mają zbyt wysokich częstotliwości, a jak widać z tym Intel ma teraz problem.
@2 ... (autor: gantrithor | data: 17/05/19 | godz.: 16:38) MBCFET to nanosheet opracowane przez ibm i dzialajacy sprawny uklad zostal pokazany w 5nm juz w 2917 roku a samsung nadal nie ma zadnego ukladu gaafet dodam wiecej testowy uklad ibm 5nm zostal wykonany przez IBM w litografi e-beam samsung czegos takiego nie posiada bo tymi narzedziami posluguja sie zazwyczaj producenci masek.
Tranzystory nanosheet to ukladane jeden na drugim paski krzemu owiniete bramka ze wszystkich stron zaleta takiego rozwiazania jest wieksza kontrola przeplywu elektronow i elastycznosc ktora pozwala zaprojektowac uklad bardzo szybki lub energo oszczedny.
MBCFET to planarny tranzystor a nie 3D jak sama nazwa wskazuje tranzystor 3D jest trojwymiarowy czyli jego wyjscia sa skierowane w plaszczyznie i w pionie "nie mylic z trigate" ale narazie nie ma zadnej na tyle zaawansowanej technologi aby pozwolic na budowe takich ukladow i predko nie bedzie bo jest to porpostu zbyt skomplikowane nie tylko dla inzynierow ale tez dla projektantow orazi narzedzi opartych na AI.
Tsmc posiada najwiecej skanerow euv na rynku i nadal czeka na kolejne maszyny od asml w tym na najnowsze modele Foveros nie rozni sie niczym od dzisiaj produkowanych ukladow mobilnych w smartfonach i ty tez taki masz w kieszeni , nie nastawiaj sie ze uklady foveros beda jakies szybkie.
Prawo moora nie jest zadnym prawem , jest to luzna obserwacja sprawdzajaca sie przes kilkanascie lat twierdzaca ze co 18 miesiecy podwaja sie liczba tranzystorow prawo to kilkukrotnie bylo modyfikowane i obecnie uznaje ze ilosc tranzystorow podwaja sie co 24 miesiace co nadal jest nie prawda bo istnienie technologi wafer scale "pozwala zadrukowac caly wafel krzemowy" calkowicie rujnuje takie zaloenia.
Sasmung , tsmc , gf oraz ibm nadal wspolpracuja ale cos jesc trzeba wiec tsmc postawilo na 7nm i uruchomilo produkcje mimo iz to samsung mial bardziej zaawansowana technologie "tak twierdzili" a jednak klienci wybrali gotowy proces litograficzny od tsmc.
Intel jesli nie zmieni technologi z l193nm na euv 13,5nm to nadal bedzie mial problemy z produkcja procesorow w 10nm
7$$ (autor: Mario1978 | data: 18/05/19 | godz.: 12:47) Pięknie to opisałeś ale patrząc na własną technologię Samsunga , którą nazwali MBCFET przekonamy się czy prawda jest blisko już niedługo.Kiedyś GAAFET był planowany dopiero na 2023-2025 rok ale widocznie znaleźli pomysł na opłacalność produkcji.GF niestety jest na boku bo nie ma jak służyć pomocą bo zbyt zaawansowany to projekt a IBM myślał , że dadzą sobie radę.
Jeżeli IBM w swoje fabryki sprzedał GF to znaczy , że wiedział na kim może się opierać teraz i są nią Koreańczycy z Południa.
Jeżeli GF poddał się z 7nm a mieli gotowy projekt podsunięty z IBM , który pokazał go w 2015roku to niezbyt dobrze świadczy o firmie.
Filmik wyjaśnia jak zredukują się koszty wdrażania nowych układów właśnie przez większą gęstość bo Samsung już podawał , że zastosowanie 4płetw potrafi zredukować ubytki przepływu elektronów o 33%.To układanie w stosy eliminuje bolączkę ówczesnego budowania tranzystorów.
Do końca 2017roku Samsung miał 12 maszyn EUV a TSMC 4 zaś Intel tylko jedną sztukę.Nawet sam GF miał 4 maszyny EUV a to świadczy o zaawansowanych pracach rozwojowych u Koreańczyków.Widać od razu kto ma największe zaległości do nadrobienia.Do 2017 roku ESML produkowało jedną maszynę EUV na miesiąc a w 2018 roku zwiększyli czas pracy i osiągnęli trzy maszyny na 2miesiące.Bardzo trudno określić czy TSMC ma więcej maszyn EUV od Samsunga jak Intel do końca 2018 roku zwiększył ich ilość tylko do 4 sztuk.Za niedługo ma się pojawić ta nowa generacja maszyn EUV i pewnie będą ostro rywalizować o nie ci z trójcy - Intel / Samsung / TSMC.
D O D A J K O M E N T A R Z
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.
