TSMC chwali się przełomem w badaniach nad litografią 1nm
Autor: Wedelek | źródło: Tech Power Up | 17:59
(7)
TSMC we współpracy z tajwańską uczelnią NTU (National Taiwan University) i amerykańskim MIT (Massachusetts Institute of Technology) dokonał dużego postępu w kwestii prac nad nową litografią 1nm. Wspomniana technologia ma stanowić odpowiedź na poczynania rywali, w tym firmy IBM, która niedawno chwaliła się swoim procesem 2nm. Jej podstawą mają być nowe, niewykorzystywane do tej pory materiały, z których mają być produkowane kluczowe elementy poszczególnych chipów. Za przykład TSMC podaje tu elektrody z bizmutu używane do budowy macierzy 2D, które pozwalają na przepływ przez układ prądu o wyższym natężeniu i przy niższej rezystancji.
To z kolei ma poprawić wydajność nowych mikroprocesorów i ich efektywność energetyczną. Trzeba przy tym pamiętać, ze litografia 1nm od TSMC to wciąż melodia przyszłości i to dość odległej. Aktualnie koncern pracuje nad masową dostępnością litografii 5nm i nad wdrożeniem technologii 3nm, która ma trafić do pierwszych odbiorców w drugiej połowie przyszłego roku.
K O M E N T A R Z E
O wyzszym natężeniu i nizszej rezystancji (autor: acd | data: 21/05/21 | godz.: 09:39) 👍
@up (autor: Wedelek | data: 21/05/21 | godz.: 10:46) nikt nie mówi, że łącznie. Nie jestem elektrykiem/elektronikiem, ale to nie zmienia faktu, że jestem świadomy zależności pomiędzy napięciem, natężeniem i rezystancją. Zresztą wzór R=U/I jest w podstawie programowej dla wszystkich (chyba)
@2. (autor: pandy | data: 21/05/21 | godz.: 21:40) Problem w tym że prąd nie może mieć niższej rezystancji - rezystancja to cecha przewodnika a nie płynącego przez przewodnik prądu - cechą prądu jest jego natężenie (które nie jest cecha przewodnika).
@02 (autor: KamieniKupa | data: 22/05/21 | godz.: 16:37) Wzór ten traci sens w skali nano
KamieniKupa (autor: Markizy | data: 23/05/21 | godz.: 20:37) on traci sens już przy półprzewodnikach. Niemniej jednak do zrozumienia i ułatwienia sytuacji można go stosować.
@4 @5 (autor: ProSavage | data: 23/05/21 | godz.: 23:30) W skali nano lub w półprzewodnikach zmieniają się prawa fizyki? Zgłoście gdzieś to odkrycie.
@6. (autor: Mariosti | data: 24/05/21 | godz.: 12:52) Nie zmieniają się, po prostu w takiej skali kluczowe znaczenie zaczyna mieć fizyka na poziomie wyższym niż liceum.
Główny problem w układach scalonych to ich charakterystyka falowa, która wynika z faktu przełączania stanu tranzystorów i powoduje iż po ścieżkach w procesorze wędrują właśnie fale EM. Gdyby w tej mikro skali mieć po prostu zwykłe przewodniki dc, bez taktowania/falowania itd. to zasadniczo można by je opisywać prostymi wersjami wzorów które znamy właśnie z liceum.
Niestety w przypadku realnych procesorów, działanie ich polega na ciągłej zmianie stanów tranzystorów i w efekcie na generowaniu fal EM. To jak one się rozchodzą opisane jest przyzwoicie tutaj: https://en.wikipedia.org/...magnetic_wave_equation
Tu masz z kolei matemtyczny opis zachowania przewodnika w takiej sytuacji: https://en.wikipedia.org/...escriptions_of_opacity
(w klasycznej, prostej fizyce z liceum przewodnik opisujemy tylko jego opornością i ewentualnie, bardziej praktycznie, spadkiem napięcia zależnie prądu, od materiału, przekroju i długości przewodu).
I to jest przysłowiowy szczyt góry lodowej.
Fizyka opisująca przepływ fali em w skali nano jest na naprawdę wysokim poziomie i jest dość trudna.
Różnica jest taka że w skali makro efekty falowe, kwantowe, upływy prądu, jakieś induktancje itd są praktycznie pomijalne (nie licząc sprzętu RF, audio i np sieci wysokiego napięcia).
D O D A J K O M E N T A R Z
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.
