Samsung ma problemy z opracowaniem litografii 3nm GAAFET
Autor: Zbyszek | źródło: DigiTimes | 06:21
Samsung ogłosił końcem czerwca, że jego kolejna technologia produkcji okładów scalonych w procesie 3nm z użyciem tranzystorów typu GAAFET zaliczy spore opóźnienie i pojawi się na rynku dwa lata później niż zakładano. Do tej pory plany Samsunga mówiły o opracowaniu nowego procesu o nazwie 3GAE i rozpoczęciu produkcji pierwszych testowych chipów w 2022 roku. W czerwcu okazało się to nieaktualne, a nowa data produkcji pierwszych próbek inżynieryjnych została określona na 2024 rok. Według źródeł znanego branżowego serwisu DigiTimes, inżynierowie Samsunga wciąż mają do rozwiązania bardzo dużo problemów technicznych.
Z pozyskanych przez DigiTimes, informacji wiadomo, że firmie wciąż nie udało się uzyskać w pełni poprawnie działającego tranzystora typu GAAFET. Dla Samsunga jest to fatalna wiadomość, bo w tym tempie nie będzie w stanie dotrzymać kroku swojemu największemu rywalowi, czyli TSMC.
Przypomnijmy, że firma TSMC zdecydowała się opracować litografię 3nm w dotychczasowej technice FinFET, i proces ten będzie dostępny dla pierwszych klientów TSMC jeszcze w przyszłym roku. Tymczasem Samsung w tym okresie nadal będzie opracowywał własny 3nm proces produkcyjny.
Kiedy ten będzie już gotowy, TSMC prawdopodobnie będzie już oferować litografię 2nm.
K O M E N T A R Z E
Jeszcze nikt nie napisał komentarza.
D O D A J K O M E N T A R Z
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.
