Twoje PC  
Zarejestruj się na Twoje PC
TwojePC.pl | PC | Komputery, nowe technologie, recenzje, testy
M E N U
  0
 » Nowości
0
 » Archiwum
0
 » Recenzje / Testy
0
 » Board
0
 » Rejestracja
0
0
 
Szukaj @ TwojePC
 

w Newsach i na Boardzie
 
TwojePC.pl © 2001 - 2022
Niedziela 12 grudnia 2021 
    

Intel prezentuje nowe technologie produkcji i lączenia układów scalonych


Autor: Zbyszek | źródło: Intel | 18:34
(11)
Podczas odbywającej się właśnie w San Francisco konferencji 2021 IEEE International Electron Devices Meeting firma Intel zaprezentowała szereg nowości oraz zapowiedzi technologii które pojawią się po 2025 roku. Prezentacja dotyczyła m.in dalszego zwiększania gęstości upakowania tranzystorów, zmiany ich budowy z FinFET na GaaFET i RibbonFET, nowych technologii zwiększających skalowanie miniaturyzacji logiki wraz z miniaturyzacją tranzystorów, oraz innowacji w dziedzinie łączenia ze sobą układów scalonych. Najbliżej debiutu rynkowego jest technika Foveros Direct.

Foveros Direct to znacznie ulepszona wersja dotychczasowej techniki Foveros. Dzięki znacznemu zmniejszeniu wielkości polączeń układów krzemowych i ich ponad 10-krotnie większej gęstości, Foveros Direct zużywa mniej powierzchni łączonych chipów. Rozwiązanie jest kompatybilne z procesorami litograficznymi Intel 4 i Intel 3, i zostanie użyte w procesorach Intela już w 2023 roku.

Następnie w procesach litograficznych Intel 20A i Intel 18A, zastosowany zostanie nowy typ tranzystorów - RibbonFET o budowie GAA (Gate All Arround) z bramką otaczającą tranzystor. Oprócz tego Intel pracuje nad techniką 3D CMOS, polegającą na umieszczaniu tranzystorów NMOS i PMOS nad sobą, co pozwoli na upakowanie 30 do 50 procent więcej obwodów logicznych na tej samej powierzchni.

Poza tym Intel pracuje nad nowymi materiałami, które pozwolą na dalszą miniaturyzację tranzystorów, nowymi typami przełączników prądowych oraz komórkami pamięci typu FeRAM, a także prowadzi prace koncepcyjne na temat technologii możliwych do zastosowania po dojściu do granic możliwości klasycznej techniki krzemowej. Tutaj obiektem badań są m.in. obwody logiczne typu magneto-elektrycznego, używające zmiany spinu elektronów (zamiast przełączania tranzystorów).






 

    
K O M E N T A R Z E
    

  1. ciekawi (autor: Markizy | data: 12/12/21 | godz.: 19:54)
    mnie czy intelowskie GAA nie będzie pochodzić od TSMC, wiec w tym przypadku chwalili by się nie swoją obudową.

    Umieszczenie półprzewodnika typu N i P nad sobą spowoduje utworzenie diody półprzewodnikowej, wiec napięcie zasilania takiego procesora musi być poniżej 0.7V aby nie doszło do polaryzacji, a to z kolei ograniczy w ogóle jakiekolwiek OC. Slajdy nie pokazują warstwy izolacji miedzy układami wiec można zakładać że jej nie będzie.


  2. @ up (autor: Zbyszek.J | data: 12/12/21 | godz.: 20:40)
    z tym umieszczeniem półprzewodników typu N i P nad sobą, to może Intel chce to zastosować w kolejnych wersjach tzw. rdzeni efektywnych (czyli 2-3 generacje po obecnym Gracemont). Te rdzenie z założenia mają pracować na niskim napięciu i niższej częstotliwości.

    A dzięki temu rozwiązaniu będą mogły być dodatkowo o prawie połowę mniejsze... robi się ciekawie.


  3. generalnie (autor: Zbyszek.J | data: 12/12/21 | godz.: 20:49)
    AMD musi dać 24 rdzenie / 48 wątków we flagowych procesorach Ryzen 7000, z rdzeniami ZEN 4 i podstawką AM5.

    Debiutujący 2-3 kwartały później Core i9 z 14. generacji (Meteor Lake ) będzie obsługiwał 48 wątków - 8 wydajnych rdzeni (16-wątkowych) + 32 efektywne rdzenie


  4. @temat (autor: Mariosti | data: 13/12/21 | godz.: 14:03)
    Ciekawe jak tam eko-luty sobie poradzą z takimi małymi złączkami...
    Chyba że to będą jakieś mikro piny wprasowywane w układy, ale to raczej powodowałoby bardzo dużo odrzutów, a degradujące się luty mikro interconnectów akurat w sam raz może wprowadzą trochę normalności w komputerach, tak aby procesory psuły się zaraz po gwarancji tak jak cała inna elektronika użytkowa...


  5. @Mariosti (autor: VP11 | data: 13/12/21 | godz.: 15:44)
    U mnie elektronika raczej odchodzi na emeryture niz sie psuje.
    Tak bylo kilka rzeczy co sie zepsuly zaraz po gwarancji lub w trakcie, ale to nikle ilosci w stosunku do tego co przeszlo przez moje rece.


  6. 3-- (autor: Mario1978 | data: 13/12/21 | godz.: 17:05)
    AMD już nic nie musi a oni spokojnie robią swoje. U AMD Zen 4 zarówno będą energooszczędne jak i wydajne a Intel nie potrafi zrobić tych dwóch rzeczy na raz. Dlatego te 24 rdzenie Zen 4 będą lepsze od tych 40 rdzeni Intela "Meteor Lake" i przez to bardziej energooszczędne.

  7. @3. (autor: pwil2 | data: 13/12/21 | godz.: 18:39)
    AMD może po prostu dać 32-rdzenie na AM5 i gotowe. W MT będzie rekord, a ludzie często patrzą na najwyższy model i kupują na podstawie jego wyników jakiegoś ogryzka.

  8. @6. (autor: pwil2 | data: 13/12/21 | godz.: 18:41)
    To fakt. Po co mają robić rdzenie wolne oraz prądożerne, skoro mogą robić szybkie i energooszczędne w jednym.

  9. ... (autor: pwil2 | data: 13/12/21 | godz.: 22:21)
    Czy producenci aut pójdą śladem Intela?
    1 cylinder 450cc 5V i 2x po 150cc 2v.


  10. ... @8 jeden krzem by rządzić nimi wszystkimi... (autor: SebaSTS | data: 13/12/21 | godz.: 23:07)
    ... Najprostrze rozwiązania są najlepsze!

  11. @Markizy (autor: bmiluch | data: 15/12/21 | godz.: 15:44)
    od studiów nie zajmowałem się elektroniką, ale opowiadasz jakieś dziwne historie
    jakie złącza np?
    to są układy MOS a nie bipolarne
    poza tym - tranzystory NMOS i PMOS są oddzielone warstwą SiO2


    
D O D A J   K O M E N T A R Z
    

Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.