TSMC ogłasza technologię FinFlex jako opcję do litografii N3 i N3E
Autor: Zbyszek | źródło: TSMC | 13:46
(5)
Firma TSMC, czyli największy na świecie producent układów scalonych poinformowała o udostępnieniu dla swoich klientów nowej technologii o nazwie FinFlex. Jest to opcjonalna technologia jaka może zostać użyta podczas produkcji układów scalonych w procesach litograficznych 3nm (litografie N3 i N3E). Rozwiązanie pozwala na zastosowanie tranzystorów o różnych parametrach w tym samym układzie krzemowym. Dostępne są trzy rodzaje tranzystorów, które mogą być stosowane w różnych obwodach i częściach tego samego układy scalonego w zależności od tego, gdzie będą się sprawdzać lepiej.
Tranzystory 2-1 Fin są najmniejsze i zapewniają największy wzrost gęstości układu scalonego. W porównaniu do tranzystorów z bazowego procesu 5nm są one mniejsze o 36 procent, oferują o 30 procent mniejsze zużycie energii i o 11 procent większą szybkość przełączania. Tranzystory 2-2 Fin są o 28 procent mniejsze niż tranzystory z bazowego procesu 5nm, i oferują o 22 procent mniejsze zużycie energii i o 23 procent większą szybkość przełączania. Tranzystory 3-2 Fin są o 15 procent mniejsze niż tranzystory z bazowego procesu N5 i oferują o 12 procent mniejsze zużycie energii oraz o 33 procent większą szybkość przełączania.
W skrócie, rozwiązanie FinFlex pozwala np. do obwodów wymagających wysokiej częstotliwości wybrać tranzystory 3-2 Fin, a mniej wymagające obwody w obrębie tego samego układu scalonego zbudować z tranzystorów 2-1 Fin o mniejszym rozmiarze i większej energooszczędności. Oczywiście, taka możliwość prawdopodobnie będzie się wiązać ze stosowną dopłatą mającą na celu pokrycie kosztu dodatkowego skomplikowania procesu produkcji.
K O M E N T A R Z E
Drogi Zbyszku, tą wiadomość czytam pierwszy raz (autor: Mario1978 | data: 17/06/22 | godz.: 15:40) na tym portalu i od razu widzę walnąłeś Bugiem. Can you Fix it?
Ja patrząc tylko na obrazek widzę, że pierwsza wersja ma większą gęstość upakowania tranzystorów o 64% w porównaniu z N5. Z tej wersji z całą pewnością będzie na początek korzystał Apple do swoich nowych modeli MXX na koniec tego roku i początek przyszłego. Druga wersja ma większą gęstość o 72% a trzecia o 85% i tutaj jestem pełen podziwu. Jak to będzie prawda bo zakładałem, że N3 pełnie będzie miało większą gęstość od N5 o 75% to wychodzi na to, że TSMC rozwija swoje litografie produkcji jeszcze szybciej niż sądziłem. Ciekawe jak oni poradzili sobie z ucieczką elektronów. Widocznie mają jakiś patent na kombinację pierwiastków, która umożliwia im osiągnięcie takich parametrów w Starym Finfet i się do tego nie przyznają. Tutaj Intel ma problem bo jak tu konkurować z Cesarzem obecnych litografii? Patrząc na te parametry Intel na Gwałt potrzebuje czegoś sporo lepszego od 'Intel 4'.
nie zrobiłem błędu, niestety Ty jesteś w błędzie (autor: Zbyszek.J | data: 17/06/22 | godz.: 15:48) zobacz na dolną oś "core area". Gęstość nie przyrasta wraz ze wzrostem liczby finów w tranzystorze, a odwrotnie - spada. Zresztą to logiczne bo tranzystory z większą liczbą finów zajmują po prostu większą powierzchnię.
Tak więc nieprawdziwe są Twoje sformułowania:
"pierwsza wersja ma większą gęstość upakowania tranzystorów o 64% w porównaniu z N5 (..) druga wersja ma większą gęstość o 72% a trzecia o 85%"
Tutaj jest odwrotnie, N3E 2-1 ma największą gęstość, a tzw. wersja druga (N3E 2-2) i trzecia (N3E 3-2) mają mniejszą gęstość, ale wyższą szybkość i wydajność.
@Zbyszzek.J (autor: Dzban | data: 19/06/22 | godz.: 01:19) Proszę zbanuj w końcu Mario1978.
Tyle lat umieszcza tutaj swoje wysrywy. Najczęściej jak tym razem klepie kupę bzdur. Nie potrzeba nam takich użytkowników. Nigdy niczego sensownego nie wniósł do dyskusji.
@up (autor: Conan Barbarian | data: 19/06/22 | godz.: 11:06) Niech sobie chłopak pisze, nikogo nie obraża. Takie banowanie na życzenie to czysta doopokracja.
@2. (autor: Mariosti | data: 21/06/22 | godz.: 13:08) Zresztą te wykresy są bez skali więc w ogóle jak miałby ktokolwiek z nich jakieś konkretne dane odczytać :]
D O D A J K O M E N T A R Z
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.
