Samsung poinformował o dodaniu do swojej oferty pamięci GDDR6 o efektywnej szybkości 24 Gbps. Nowe kostki produkowane są z użyciem procesu litograficznego 10nm trzeciej generacji, w którym zastosowano do naświetlania nową technikę EUV (Extreme Ultra Violet). To wyraźnie poprawiło parametry procesu litograficznego i pozwoliło zwiększyć szybkość kostek z 18 Gbps (najszybsze do tej pory oferowane kostki) do 24 Gbps. Kostki są zgodne ze specyfikacją JEDEC i pracują z napięciem zasilania 1.35 V. Dodatkowo Samsung wyposażył je w rozwiązanie Dynamic Voltage Switching (DVS), które pozwala na wybór dwóch dodatkowych energooszczędnych trybów pracy.
Pierwszy tryb to praca z szybkością 20 Gbps przy napięciu 1,2V, a drugi - praca z szybkością 18 Gbps przy napięciu 1,1 V. Dzięki temu nowe kostki GDDR6 24 Gbps mogą być też używane z taką szybkością jak dotychczas najszybsze moduły GDDR6, czyli 18 Gbps, ale pobierają wówczas o 30 procent mniej energii niż poprzednie pamięci GDDR6 18 Gbps.
Nowe pamięci będą dostępne dla producentów kart graficznych jeszcze w tym roku.
K O M E N T A R Z E
1,35 (autor: henrix343 | data: 16/07/22 | godz.: 16:53) hmmm mogliby tak do tych 1,1v zejsc, no ale dobre i to.
