|
TwojePC.pl © 2001 - 2024
|
 |
Poniedziałek 29 maja 2023 |
 |
| |
|
Tranzystory CFET - TSMC już pracuje nad następcą trazystorów GaaFET
Autor: Zbyszek | źródło: TechPowerUp | 07:20 |
(6) |  Ciągła miniaturyzacja procesów litograficznych, a tym samym zmniejszanie krzemowych tranzystorów wymaga zmian w ich budowie. Od mniej więcej dekady i litografii 28nm wykorzystywane są tranzystory typu FinFET, z pionową lub pionowymi bramkami. Tymczasem nowe procesy litograficzne o rozmiarach około 2nm wykorzystają całkiem nowe tranzystory o budowie typu GaaFET (gate-all-around field-effect transistor) z bramką otaczającą tranzystor. Takie tranzystory wykorzystuje już najnowsza litografia 3nm od Samsunga, a TSMC i Intel użyją ich za kilkanaście miesięcy w swoich przyszłych litografiach 2nm (TSMC) i 20A oraz 18A (Intel). Tymczasem firma TSMC w trakcie European Technology Symposium 2023 pochwaliła się, że już pracuje nad następcą tranzystorów GaaFET.
Mają to być tranzystory typu CFET, które względem GaaFET będą mieć bardziej skomplikowaną budowę, ale mają pozwolić na dalszą miniaturyzację i poprawę wydajności i szybkości przełączania.
Do wytrawiania chipów z tranzystorami CFET posłużą urządzenia optyczne typu High NA EUV, które będą dysponować bardziej zaawansowaną techniką fotonaświetlania niż obecnie stosowane rozwiązania typu EUV.
Jednocześnie przedstawiciel TSMC nie był jeszcze w stanie określić dokładnej daty, kiedy tranzystory CFET będą zastępować GaaFET, stwierdzając tylko, że czas w jakim wykorzystywano tranzystory FInFET to około dekady, więc być może tranzystory GaaFET też będą mogły byś stosowane przez wiele lat, zanim konieczne będzie użycie tranzystorów CFET.
 |
| |
|
|
|
|
|
 |
 |
|
|
|
K O M E N T A R Z E |
 |
| |
|
- wtf? (autor: henrix343 | data: 29/05/23 | godz.: 22:26)
ale co oni chca dzielic atom ? No bo jak transa na 2 atomach dzielic :)?
- Trochę trudno w to uwierzyć jak GAA (autor: Mario1978 | data: 30/05/23 | godz.: 04:58)
będzie mieć też wersję V-GAA czy 4D GAA. To Japończycy szybciej wprowadzą CFET a przynajmniej mają takie plany współpracując z IBM. Oni chcą CFET już na przełomie 2025/2026 roku nazwane 2nm CFET. Zobaczymy z czym Chiny wyskoczą w tym czasie bo Huawei mocno przyczynia się do samowystarczalności współpracując z rodzimymi firmami i nie żałując na ten cel pieniędzy. Coś czuję, że oni wyskoczą z jeszcze innymi tranzystorami. Powinniśmy dziękować USA, że ich nieuczciwe praktyki czyli gra poniżej pasa wobec niektórych Chińskich firm ma wpływ na przyszłość ich przyśpieszonego rozwoju. Zobaczymy czy Dumą USA pozwoli im na to by korzystać z Chińskich patentów by móc produkować najbardziej zaawansowane technologie już w tej dekadzie.
- Ale kogo interesują Chińskie patenty? (autor: bmiluch | data: 30/05/23 | godz.: 08:50)
One mają wartość tylko w Chinach. Jakby coś, to musisz patentować swoje rozwiązania w wielu krajach.
- @1. (autor: Mariosti | data: 30/05/23 | godz.: 11:28)
W 2 nm mieści się warstwa grubości 10 atomów krzemu, albo 14 atomów miedzi, także jeszcze trochę jest miejsca na postęp.
- @4. (autor: pandy | data: 30/05/23 | godz.: 22:19)
Tylko elektromigracja zajedzie taką ilość atomów w pół roku... chcesz co pół roku wymieniać komponenty kosztujące 2 i więcej tysiaków?
- @5. (autor: Mariosti | data: 31/05/23 | godz.: 14:29)
Dlatego konstrukcja tranzystorów i używane materiały zaczynają się zmieniać dość szybko.
Inżynierowie pracujący w tej tematyce mają na ten temat na pewno znacznie lepsze pojęcie niż ty czy ja.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
D O D A J K O M E N T A R Z |
|
| |
|
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
