TSMC opracuje Backside Power Delivery dla litografii 2nm
Autor: Zbyszek | źródło: AnandTech | 22:15
W 2021 roku Intel pochwalił się opracowaniem nowej technologii dla przyszłych procesów litograficznych - mowa o technice zasilania tranzystorów o nazwie Backside Power Delivery. Technologia jest obecnie w fazie testów, i zostanie użyta produkcyjne w przyszłym roku w kolejnej generacji efektywnych rdzeni, które będą wytwarzane w litografii Intel 20A. Technika Backside Power Delivery polega na oddzieleni linii sygnałowych od zasilających, i przeniesieniu linii zasilających na warstwy umieszczone pod tranzystorami, a więcej o jej szczegółach technicznych pisaliśmy tutaj.Takie rozwiązanie nie mogło zostać bez odpowiedzi ze strony firmy TSMC, która ogłosiła, że opracuje własną wersję rozwiązania Backside Power Delivery.
Technologia w nomenklaturze TSMC otrzymała nazwę BPDN (backside power delivery networks), i ma uzyskać status gotowości do produkcji w 2026 roku. Do stosowania BPDN przystosowany zostanie proces litograficzny N2P, czyli druga generacja 2nm litografii TSMC. Podobnie jak u Intela, rozwiązanie oddzieli linie sygnałowe od zasilających - linie sygnałowe będą umieszczone w klasyczny sposób nad tranzystorami, a linie zasilające zostaną przeniesione pod tranzystory i będą do nich doklejane oddzielnie.
K O M E N T A R Z E
Jeszcze nikt nie napisał komentarza.
D O D A J K O M E N T A R Z
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.
