|
TwojePC.pl © 2001 - 2026
|
 |
Poniedziałek 15 czerwca 2026 |
 |
| |
|
Litografia SMIC N+ 3 - chińczycy zrobili duży progres, ale do konkurencji wciąż jest im daleko
Autor: Wedelek | źródło: Semi Analysis | 18:04 |
|  Należąca do SemiAnalysis jednostka STEEL (SemiAnalysis Teardown Engineering & Evaluation Lab) z siedzibą w Hillsboro w stanie Oregon przyjrzała się bliżej układowi HiSilicon Kirin 9030 z telefonów Huawei Mate 80 wyprodukowanemu przez chiński SMIC w procesie N+3 (trzecia generacja 7nm). Chodziło o sprawdzenie na ile najnowsza litografia chińskiego giganta jest w stanie konkurować z zachodnimi odpowiednikami. To co najmocniej przykuło uwagę badaczy to minimalny lokalny raster metaliczny (local metal pitch), czyli parametr opisujący odległość między środkami dwóch sąsiednich elementów powtarzalnego wzoru, np. ścieżek przewodzących.
W procesie N+3 jest on na poziomie 32,5 nm, a co za tym idzie przerwa pomiędzy elementami jest ciaśniejsza niż w Intel 18A, gdzie wynosi ona 36 nm. Tyle tylko, że sam ten parametr bez szerszego kontekstu niewiele nam mówi, bo jak wyjaśnia SemiAnalysis, Intel celowo zwiększył przerwę w Panther Lake, by zaimplamentować technologię backside power delivery (PowerVia), co ułatwia implementację linii sygnałowych. W rezultacie gęstość tranzystorów w N+3 wynosi 113,4 mln/mm², czyli nieco więcej niż w TSMC N6 (107,7 mln/mm²), ale znacznie poniżej wartości Intel 18A, który ma pod tym względem przewyższać N+3 o 38%.
Mimo tej oczywistej przewagi najnowszych litografii od TSMC i Intela nie sposób nie docenić N+3, który w przeciwieństwie do konkurencji nie wykorzystuje maszyn EUV do których Chińczycy nie mają dostępu, a zamiast tego korzysta ze starszej technologii DUV. Aby zmniejszyć dystans do konkurencji SMIC wykorzystuje czterokrotny patterningу, czyli metodę wymagającą dodatkowych etapów maskowania i trawienia. Przy tym chińska firma wykorzystała niemal wszystkie dostępne sztuczki zwiększające gęstość upakowania tranzystorów. Zastosowano między innymi dwa finy na tranzystor, kontakty bezpośrednio nad bramką oraz minimalne przerwy między komórkami.
Na papierze efekt tych działań jest naprawdę imponujący, ale w realnych zastosowaniach jest dużo gorzej. Pewnych ograniczeń nie da się bowiem przeskoczyć i przez to główny rdzeń Kirin 9030 Pro pracuje z zegarem 2,75 GHz i osiąga wydajność porównywalną z ARM Cortex-X2 z 2021 roku, plasując się około trzy lata za obecnymi flagowcami Apple, Qualcomm, MediaTek i Samsunga. Co gorsza bez lepszych maszyn dalszy wzrost jakości może być trudny do osiągnięcia, a dogonienie konkurencji praktycznie niemożliwe. Mimo to Huawei nie zamierza się poddawać i chce do 2031 roku zwiększyć częstotliwość pracy swoich układów do 5GHz.
  |
| |
|
|
|
|
|
 |
 |
|
|
|
D O D A J K O M E N T A R Z |
 |
| |
|
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
